tagi

TSMC nie chce zostawać w tyle. Pierwszy 16-nanometrowy SoC już za rok

Eryk Napierała 25.10.2012 23

Trójwymiarowych tranzystorów też nie zabraknie. Jaki¶ czas temu Global Foundries, główny wykonawca chipów takich firm jak AMD i Qualcomm, poinformował o planach wprowadzenia w 2014 roku procesu technologicznego 14 nm i tranzystorów z trójstronn± bramk±. Konkurencyjne TSMC, z którego usług korzystaj± dwaj najwięksi producenci kart graficznych, też ma co¶ do powiedzenia w tej kwestii.

Prototyp 20-nanometrowego procesora od... Samsunga

Mateusz Brzostek 15.07.2011 28
Samsung poinformował, że z jego fabryk wyjechał wła¶nie pierwszy działaj±cy czip wykonany w procesie technologicznym 20 nm. Jest to zaprojektowany we współpracy z ARM układ SoC z rdzeniem Cortex-M0.

Proces 20 nm Samsunga używa technik bulk (bramka tranzystora nie odizolowana od krzemowego podłoża) i HKMG (ulepszony izolator w bramce), a bramka tranzystora jest wykonywana po pozostałych elektrodach. Podobnie produkuje Intel, GlobalFoundries za to stosuje techniki SOI (krzem na izolatorze, czyli bramka jest odizolowana od reszty krzemowego wafla) i gate-first (bramka wykonywana jako pierwsza z elektrod).