aktualności

Samsung ujawnia szczegóły procesu 3 nm i przedstawia zaktualizowany harmonogram

9 15 maja 2019, 21:31 Adrian Kotowski

Samsung pochwalił się na organizowanej przez siebie imprezie Foundry Forum 2019 postępami prac przy wprowadzaniu na rynek nowych procesów technologicznych. Szczególnie dużo miejsca poświęcono litografii 3 nm, która będzie pierwszą wykorzystującą budowę projekt GAA, zamiast stosowanego obecnie FinFET. Koreańczycy ujawnili też informacje na temat innych technologii, zaplanowanych na najbliższe lata.

Podczas swojej prezentacji Samsung ogłosił, że jego nowa litografia 3 nm Gate-All-Around (GAA), zwana przez producenta jako 3GAE, doczekała się pierwszej wersji zestawu projektowania procesu (PDK) o oznaczeniu 0.1. Materiały te od kwietnia trafiają do klientów firmy, by ci zapoznali się ze specyfiką technologii i już teraz mogli myśleć o dostosowaniu pod nią swoich przyszłych jednostek.

Samsung

Koreańczycy wykorzystają w projekcie technikę MBCFET opartą na nanoarkuszach zamiast tradycyjnych nanodrutów stosowanych tradycyjnej wersji GAAFET. Rozwiązanie Samsunga ma być bardziej elastyczne, bo zamiast zwiększania liczy żeber, można po prostu regulować szerokość arkuszy. Z perspektywy firmy stosowanie MBCFET jest o tyle sensowne, że chipy z niej korzystające można produkować przy pomocy tego samego sprzętu co w przypadku techniki FinFET.  

Według zapewnień Samsunga, 3GAE pozwoli zredukować wielkość chipu o 45 procent w porównaniu do litografii 7 nm. Zapewni też o 50 procent niższy pobór energii przy tej samej wydajności lub o 35 procent wyższą wydajność przy identyczny poborze prądu. Samsung już testuje pierwsze projekty przeznaczone na rynek samochodowy i zapewnia, że z czasem litografia zostanie odpowiednio ulepszona.

Podmiot przedstawił również szczegóły na temat swoich najbliższych planów. W drugiej połowie tego roku rozpoczęta zostanie masowa produkcja chipów w procesie 6 nm, a ponadto ukończone mają zostać prace nad technologią 4 nm. Do końca tego roku zobaczymy też zestaw do projektowania produktów w procesie 5 nm FinFET, dzięki czemu już w pierwszej połowie 2020 roku klienci Samsunga będą mogli bez problemu zamawiać chipy korzystające z tej litografii. Na samym końcu zapewniono również o opracowaniu do końca 2019 roku następcy procesu 28FSD, którym zostanie 18FSD, oraz przygotowaniu eMRAM o pojemności 1 Gb.

Sprawdź ranking popularnych procesorów

Źródło: Samsung
TheMr.Zobacz profil
Poziom ostrzeżenia: 0%
TheMr.2019.05.15, 22:33
Z telefonów przenieść się do potentata produkcji, wdrożenia i zastosowania procesów technologicznych. Jeśli ich plany wypalą, to konkurencja nie będzie miała łatwo.
RyzenZobacz profil
Poziom ostrzeżenia: 0%
Ryzen2019.05.15, 22:41
Tylko czekać, jak Intel w panice zapłaci Samsungowi za produkcję ich dziurawych procesorów w nowych technologiach, aby tylko ratować rynek. Teraz Intel jest w ciemnej pupci i nadal zmierza w niewłaściwym kierunku, czego najlepszym przykładem jest zalecenie wyłączenia HT.
Ania1984Zobacz profil
Poziom ostrzeżenia: 0%
Ania19842019.05.15, 22:57
-8#3
'Według zapewnień Samsunga, 3GAE pozwoli zredukować wielkość chipu o 45 procent w porównaniu do litografii 7 nm. Zapewni też o 50 procent niższy pobór energii przy tej samej wydajności lub o 35 procent wyższą wydajność przy identyczny poborze prądu'.

3nm brzmi kozacko ale parametry d*** nie urywają w porównaniu do ich 7nm EUV, a w szczególności 35% wyższa wydajność przy identyczny poborze prądu.
sprzetowiec90Zobacz profil
Poziom ostrzeżenia: 0%
sprzetowiec902019.05.16, 06:56
Ania1984 @ 2019.05.15 22:57  Post: 1203308
'Według zapewnień Samsunga, 3GAE pozwoli zredukować wielkość chipu o 45 procent w porównaniu do litografii 7 nm. Zapewni też o 50 procent niższy pobór energii przy tej samej wydajności lub o 35 procent wyższą wydajność przy identyczny poborze prądu'.

3nm brzmi kozacko ale parametry d*** nie urywają w porównaniu do ich 7nm EUV, a w szczególności 35% wyższa wydajność przy identyczny poborze prądu.



Jak nie jak tak, 50% nizszy pobor to jest w ciul duzo tymbardzie ze juz mamy oszczedne procki pod wzgledem poboru mocy w fonach. Taki snapdragon 6xx w 3nm to by zarl malutko pradu.

35% wydajnosci tylko przy zejsciu z procesem to masz roznice mniej wiecej jak snapem 845 a 855 wiec nie wiem na co tu narzekac. Ile intel serwuje % wiekszej wydajnosci co generacje? Albo amd? :E

Edytowane przez autora (2019.05.16, 06:58)
StjepanZobacz profil
Poziom ostrzeżenia: 0%
Stjepan2019.05.16, 10:28
A gdzie jest Intel w tym momencie, jest dziurą w serze grillowanym na ogniu TDP :E
i386Zobacz profil
Poziom ostrzeżenia: 0%
i3862019.05.16, 12:34
Jeśli to prawda to intel jest strasznie w czarnej pupie.
Ale wiadomo do konca tak nie jest ...
GrLTZobacz profil
Poziom ostrzeżenia: 0%
GrLT2019.05.16, 14:15
Co za czasy - bramki logiczne z własnymi radiatorami :E
Rybaczek KoziołkaZobacz profil
Poziom ostrzeżenia: 0%
Rybaczek Koziołka2019.05.17, 14:27
no cóż, kawał fizyki przedstawionej w prostej formie :) z tego co widzę to generalnie chodzi o to, aby bramka miała jak największą powierzchnię styku z drenem, co znacznie przyspiesza przepływ ładunku, a to oznacza że tranzystor pracuje szybciej.

co do sugestii że intel rzuci się z produkcją u samsunga? wątpię. przecież nie odstawią swoich fabów na bok. poza tym na pewno nie zechcą ujawniać detali produkcji x86 :)

ostatnia kwestia, że snap 845/855 czy jakikolwiek inny by żarł mniej prądu. raczej w to wątpię, bo zwiększoną wydajność sprzętową i tak zeżre fatalnie napisane oprogramowanie, które bez potrzeby w kółko się uruchamia w tle. wystarczy popatrzeć na stare iphone które nieużywane bez problemu działa bez ładowania tydzień. to samo stare nokie, a nawet te młodsze wkraczające w erę smartfonów (np. nokia 500 z cpu na jednym rdzeniu), tutaj widać że pomomo małych baterii, te słuchawki działały długo. a teraz co się dzieje? nawet topowiec trzeba doładowywać najrzadziej co drugi dzień. problemem jest fatalny soft.

mnie bardziej niż sytuacja intela, zastanawia jak do sprawy nanometrów podejdzie TSMC :) i czy będą mieli wystarczająco wydajny proces.

na koniec, co to jest eMRAM ? czyżby pamięć nieulotna oparta na magnetyku? w artykule jest ZERO detali na ten temat.
daneelZobacz profil
Poziom ostrzeżenia: 0%
daneel2019.05.17, 17:34
Rybaczek Koziołka @ 2019.05.17 14:27  Post: 1203572

[...]
na koniec, co to jest eMRAM ? czyżby pamięć nieulotna oparta na magnetyku? w artykule jest ZERO detali na ten temat.


https://www.anandtech.com/show/14056/samsu...l-emram-product - tutaj znajdziesz co nieco na temat eMRAM
Edytowane przez autora (2019.05.17, 17:34)
Ze względu na obowiązującą ciszę wyborczą funkcja komentowania została wyłączona do dn. 2019-05-26 godz. 21:00.
1