Aktualność
Adrian Kotowski, Czwartek, 24 maja 2018, 19:31

Przyszłość wygląda bardzo ciekawie. Samsung ujawnił zaktualizowany harmonogram dostępności swoich procesów technologicznych. Część elementów dodano, inne usunięto, mamy też kilka opóźnień, choć na szczęście nie tak dużych, jak w przypadku litografii Intela. Dowiedzieliśmy się też, że proces 4 nm będzie ostatnim, w który będzie bazował na architekturze FinFET.

Aktualizując swój plan na najbliższe lata Samsung ujawnił informacje na temat pięciu litografii. Firma podała, że w drugiej połowie tego roku rozpocznie testową produkcję układów w procesie 7 nm LPP (low power plus), wykorzystując technikę EUV. Na początek przyszłego roku planowane jest przygotowanie wszystkich niezbędnych bloków w nowej litografii, dzięki czemu możliwe będzie rozpoczęcie masowej produkcji przy jej wykorzystaniu. Ciekawostką jest to, że w zaktualizowanym harmonogramie zabrakło miejsca na procesy 6 nm LPP i 5 nm LPP, które według wcześniejszych planów miały trafić na rynek w 2019 roku.

2017

1 połowa

10 nm LPE

2 połowa

2018

1 połowa

10 nm LPP

2 połowa

7 nm LPP

8 nm LPP

10 nm LPU

2019

1 połowa

7 nm LPP

2 połowa

5 nm LPE

2020

1 połowa

5 nm LPE

2 połowa

4 nm LPE

2021

2022

4 nm LPP

po 2022

3 nm GAAE

3 nm GAAP

Zamiast nich Samsung zapowiedział technologię 5 nm LPE (low power early). Wiemy o niej na ten moment tylko tyle, że ma gwarantować zauważalne zmniejszenie powierzchni układów oraz ich wysoką energooszczędność. Testowa produkcja zacznie się w drugiej połowie 2019 roku, a masowa w pierwszej 2020. Następcami 5 nm LPE mają być 4 nm LPE oraz wprowadzony w 2022 roku 4 nm LPP. Południowokoreańska firma twierdzi, że będą to ostatnie rozwiązania korzystające z techniki FinFET. Obie mają charakteryzować się bardzo dobrym uzyskiem, a samo przejście z 5 nm na 4 nm powinno być bezproblemowe.

Duże zmiany czekają nas po 2022 roku, kiedy to Samsung zamierza wprowadzić litografie 3 nm GAAE (gate-all-arround early) i 3 nm GAAP (gate-all-arround plus). Według firmy, procesy rozwiążą problem ze skalowaniem znany z architektury FinFET, a stosowana przez nią implementacja GAA ma być niezwykle zaawansowana na tle konkurencji. Samsung nazwał swoją nową architekturę MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) i wykorzysta w jej przypadku nano arkusze. Nie podano niestety żadnych danych na temat spodziewanych właściwości procesu, co w sumie nie dziwi, bo do jego wprowadzenia pozostało co najmniej 5 lat.

Sprawdź ranking popularnych procesorów

Ocena aktualności:
Ocen: 4
Zaloguj się, by móc oceniać
Adolph (2018.05.24, 19:37)
Ocena: 0

0%
Patrząc na ostatnie problemy, to jeszcze się to wydłuży jak 5 lat xd
pwil (2018.05.24, 21:10)
Ocena: -2

67%
Pewnie do tego czasu (2022r) Intel będzie robił 7nm+++++
Ryzen (2018.05.24, 21:23)
Ocena: 5

0%
Zagadka:
Z jaką firmą kojarzy się 14nm+++++++++++++++++++++++ ?
aqvario (2018.05.24, 21:28)
Ocena: 0

0%
Co jakiś czas powtarza się o ścianie, ale dla fizyki ścianą jest dopiero moment, gdy nie da się przepuścić elektronów i których przepływu nie można kontrolować. A skoro można kontrolować pamięci, w których stany 0 i 1 zależą od jednego elektronu...

Jeśli odległość między ścieżkami będzie odpowiednio duża, to i ścieżka będzie mogła mieć pewnie szerokość jednego atomu, czyli około 0,25 nm (obecnie raczej nie da się tak dokładnie rozstawiać atomy w sposób kontrolowany). Oczywiście rozmiar tranzystora to zupełnie inna bajka, ale zrobiono już tranzystory o rozmiarze 120 nm i częstotliwości przełączania 300 Gigahertów.

Obecna technologia 7 nm pozwala stworzyć tranzystor o rozmiarze około 40-50 nm szerokości, 15 nm wysokości i 120-130 nm długości. Ścieżki to około 60 atomów (15 nm). Te 7 nm to tylko odległość pomiędzy bramkami, taka marketingowa papka dla ludu.
Zodiac (2018.05.24, 22:08)
Ocena: 5

0%
A Intel ciągle w dupie ze swoim 10nm. Jeszcze do niedawna śmiałem się z szajsunga, że nazywa swoje procesy marketingowo i nieprawdziwie w stosunku do niebieskich, a tu proszę, okazuje się że zaraz ich prześcigną.

Charlie już to potwierdził dawno temu, ale nie chciało mi się wierzyć w historie z Semiaccurate. Wygląda na to, że znowu miał racje.
zwiska (2018.05.24, 23:25)
Ocena: -4

33%
I proszę a nie mówiłem że będę brednie :)
3nm :) zaraz pójdą po całości i 1 nm też nie będzie zły.

To je wszystko FIKCJA dla frajerów
nie sądzę aby ktokolwiek zszedł poniżej 10nm.
10nm jest jeszcze możliwe ale już z bardzo małym uzyskiem (intel)
wieć to faktyczny kres technologiczny.

Oczywiście jak ktoś nie ma pojęcia chwyci bajeczkę
Tak dla faktu procesowego 3nm to ni mniej ni więcej około ( atom krzemu ma 0,25 nm a wiec owe 3nm) 12 atomów :)
tia ....
Po za tym istnieje problem naświetlania i wytrawiania i wytwarzania struktur ...
bo nie za bardzo jest czym to zrobić
Po za tym istnieje z tym cała masa innych problemów o których nikt tu nie ma nawet fioletowego pojęcia
Edytowane przez autora (2018.05.24, 23:26)
zwiska (2018.05.24, 23:27)
Ocena: -2

33%
PS to teraz TSMC musi byłsnać i czekamy na info jak to w 2021 tam będą robić 2nm :)
Stanley (2018.05.25, 08:43)
Ocena: 3

0%
Adolph @ 2018.05.24 19:37  Post: 1145511
Patrząc na ostatnie problemy, to jeszcze się to wydłuży jak 5 lat xd


Jesli już zakupią naświetlarki 10nm będzie im znacznie łatwiej i będzie wzmożona presja. Kluczowe zeby zrobili ten pierwszy krok. Obecnie 193nm naświetla 14 i 7nm, każde zmniejszanie to kolejne etapy żeby efekt osiągnąć (jeśli nawet nie dwa razy tyle etapów). Po wdrożeniu raz a dobrze FinFETa właściwie jedyne co spada to szybkość produkowania. Więc może nie tyle o zmniejszanie chodzi bo to końcówka, ale o cenę. Zjawisko podobne do wyciskania bitów/Hz w kodowaniu QAM, można praktycznie w nieskończoność podwajać przez wycinanie i porównywanie coraz mniejszych fragmentów sinusoidy. Zgranie wszystkiego w jedną całosć w ruchomych maszynach jest trudne bo proporcje detali do długości fali światła to obecnie ok 16x (193/7). Jakby robić jedno zdjęcie wspólne 16 osobom, ale można tylko jednej osobie naraz. Przy czym 'klisze' wyjmujesz raz to pokrywa chemia innym razem woda i tak na zmiane. Przychodzi taki moment że sie dalej nie opłaca i to jest ten moment. Dla EUV 10nm problemem była blokada w postaci próżni, woda takie światło pochłania. Krzemu nie moze już chłodzić po stareu wydajnosć lamp słaba co wydłuża proces naświetlania. Pierwsze plotki o EUV pamiętam gdy AMD przeniosło się do Drezna i produkowało układy w ~180nm. Technologia znana od 15 lat przyszedł na nią czas. Samsung musi zrobić pierwszy krok w EUV jak ten Mojrzesz i reszta za nimi pójdzie :P

Podobno (według Sophie Willson) 28nm daje kost 1.40 (jakiegoś tam ułamka dolara) w przeliczeniu na bramkę dla 22nm to było 1.50, dla 14nm wzrosło do ~1.54 dla 10nm wzrasta do 1.58 dla 7nm 1.56 / bramkę. Nie na powierzchnie ale na bramkę. Więc poza problemami nic nie wynika z samego zmniejszania ukladów, nie może być darmowego podwajania ilości tranzystorów jak wcześniej jedyne co zmienia to zmniejsza zapotrzebowanie na prąd. Wykonano 3 kroki zmniejszania cena powinna spaść 8 krotnie wiec jest sporo do ugrania - z przeszłości. Dlatego tak długo była blokada żeby przejść 28nm na 14nm i tak długo Intel nas mamił 4 rdzeniami. Poprzednio np. 45nm dawało 2.5, 65nm aż 4 (dane od Sophie) więc był sens zmniejszać i podwajać wydajnosć używając coraz więcej bramek. Jeśli Samsung raz wejdzie w EUV to coś się zmieni.

Myśle więc ze jest faktycznie nadzieja jakiś rozwój.
Edytowane przez autora (2018.05.25, 16:31)
gregorio (2018.05.25, 08:51)
Ocena: 0

0%
Szybko jada w dol z tym nazewnictwem. Niedlugo pewnie zaczna oznaczac procesy w pm. :E
Zaloguj się, by móc komentować
Aktualności
Z zespołu Oculus VR już prawie nikt nie został. 0
Sprzęt dla wymagających. Adata zaprezentowała dzisiaj swoje nowe produkty z serii XPG SX8200 Pro. 4
Firma dołączy tym samym do grona takich producentów jak m.in. Xiaomi, Asus czy Huawei. 5
Informację ujawnił jeden ze współzałożycieli firmy.  0
Niespodziewana wiadomość. 25
Poprawiona wersja wolna od efektu screen-door. 9
Czyżby szykował się przełom na rynku urządzeń przenośnych? 13
Nvidia gotowa na premierę Radeona RX 590. 12
Pierwsze eksperymenty nie wyglądają zachęcająco. 59
Wszystko przez problemy z procesem 10 nm. 44
Niektórzy mogą poczuć się rozczarowani. 6
Smartfon zadebiutuje dzień wcześniej, ale nie to jest najważniejsze. 6
Cztery opowieści przedstawiające wojnę z różnych perspektyw. 24
Chip ma stanowić konkurencję dla układów Intela. 14
Poprawiona wersja wolna od efektu screen-door. 9
Czyżby za kilka miesięcy miała rozpocząć się prawdziwa, smartfonowa rewolucja? 16
Ważna informacja dla przyszłości pamięci 3D XPoint. 9
Wirtualna rzeczywistość dostępna dla jeszcze większej liczby graczy. 10
Cztery opowieści przedstawiające wojnę z różnych perspektyw. 24
Nvidia gotowa na premierę Radeona RX 590. 12
Pierwsze eksperymenty nie wyglądają zachęcająco. 59
Artykuły spokrewnione
Facebook
Ostatnio komentowane