Aktualność
Adrian Kotowski, Czwartek, 24 maja 2018, 19:31

Przyszłość wygląda bardzo ciekawie. Samsung ujawnił zaktualizowany harmonogram dostępności swoich procesów technologicznych. Część elementów dodano, inne usunięto, mamy też kilka opóźnień, choć na szczęście nie tak dużych, jak w przypadku litografii Intela. Dowiedzieliśmy się też, że proces 4 nm będzie ostatnim, w który będzie bazował na architekturze FinFET.

Aktualizując swój plan na najbliższe lata Samsung ujawnił informacje na temat pięciu litografii. Firma podała, że w drugiej połowie tego roku rozpocznie testową produkcję układów w procesie 7 nm LPP (low power plus), wykorzystując technikę EUV. Na początek przyszłego roku planowane jest przygotowanie wszystkich niezbędnych bloków w nowej litografii, dzięki czemu możliwe będzie rozpoczęcie masowej produkcji przy jej wykorzystaniu. Ciekawostką jest to, że w zaktualizowanym harmonogramie zabrakło miejsca na procesy 6 nm LPP i 5 nm LPP, które według wcześniejszych planów miały trafić na rynek w 2019 roku.

2017

1 połowa

10 nm LPE

2 połowa

2018

1 połowa

10 nm LPP

2 połowa

7 nm LPP

8 nm LPP

10 nm LPU

2019

1 połowa

7 nm LPP

2 połowa

5 nm LPE

2020

1 połowa

5 nm LPE

2 połowa

4 nm LPE

2021

2022

4 nm LPP

po 2022

3 nm GAAE

3 nm GAAP

Zamiast nich Samsung zapowiedział technologię 5 nm LPE (low power early). Wiemy o niej na ten moment tylko tyle, że ma gwarantować zauważalne zmniejszenie powierzchni układów oraz ich wysoką energooszczędność. Testowa produkcja zacznie się w drugiej połowie 2019 roku, a masowa w pierwszej 2020. Następcami 5 nm LPE mają być 4 nm LPE oraz wprowadzony w 2022 roku 4 nm LPP. Południowokoreańska firma twierdzi, że będą to ostatnie rozwiązania korzystające z techniki FinFET. Obie mają charakteryzować się bardzo dobrym uzyskiem, a samo przejście z 5 nm na 4 nm powinno być bezproblemowe.

Duże zmiany czekają nas po 2022 roku, kiedy to Samsung zamierza wprowadzić litografie 3 nm GAAE (gate-all-arround early) i 3 nm GAAP (gate-all-arround plus). Według firmy, procesy rozwiążą problem ze skalowaniem znany z architektury FinFET, a stosowana przez nią implementacja GAA ma być niezwykle zaawansowana na tle konkurencji. Samsung nazwał swoją nową architekturę MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET) i wykorzysta w jej przypadku nano arkusze. Nie podano niestety żadnych danych na temat spodziewanych właściwości procesu, co w sumie nie dziwi, bo do jego wprowadzenia pozostało co najmniej 5 lat.

Sprawdź ranking popularnych procesorów

Ocena aktualności:
Ocen: 4
Zaloguj się, by móc oceniać
Adolph (2018.05.24, 19:37)
Ocena: 0

0%
Patrząc na ostatnie problemy, to jeszcze się to wydłuży jak 5 lat xd
pwil (2018.05.24, 21:10)
Ocena: -2

0%
Pewnie do tego czasu (2022r) Intel będzie robił 7nm+++++
Ryzen (2018.05.24, 21:23)
Ocena: 5

0%
Zagadka:
Z jaką firmą kojarzy się 14nm+++++++++++++++++++++++ ?
aqvario (2018.05.24, 21:28)
Ocena: 0

0%
Co jakiś czas powtarza się o ścianie, ale dla fizyki ścianą jest dopiero moment, gdy nie da się przepuścić elektronów i których przepływu nie można kontrolować. A skoro można kontrolować pamięci, w których stany 0 i 1 zależą od jednego elektronu...

Jeśli odległość między ścieżkami będzie odpowiednio duża, to i ścieżka będzie mogła mieć pewnie szerokość jednego atomu, czyli około 0,25 nm (obecnie raczej nie da się tak dokładnie rozstawiać atomy w sposób kontrolowany). Oczywiście rozmiar tranzystora to zupełnie inna bajka, ale zrobiono już tranzystory o rozmiarze 120 nm i częstotliwości przełączania 300 Gigahertów.

Obecna technologia 7 nm pozwala stworzyć tranzystor o rozmiarze około 40-50 nm szerokości, 15 nm wysokości i 120-130 nm długości. Ścieżki to około 60 atomów (15 nm). Te 7 nm to tylko odległość pomiędzy bramkami, taka marketingowa papka dla ludu.
Zodiac (2018.05.24, 22:08)
Ocena: 5

0%
A Intel ciągle w dupie ze swoim 10nm. Jeszcze do niedawna śmiałem się z szajsunga, że nazywa swoje procesy marketingowo i nieprawdziwie w stosunku do niebieskich, a tu proszę, okazuje się że zaraz ich prześcigną.

Charlie już to potwierdził dawno temu, ale nie chciało mi się wierzyć w historie z Semiaccurate. Wygląda na to, że znowu miał racje.
zwiska (2018.05.24, 23:25)
Ocena: -4

67%
I proszę a nie mówiłem że będę brednie :)
3nm :) zaraz pójdą po całości i 1 nm też nie będzie zły.

To je wszystko FIKCJA dla frajerów
nie sądzę aby ktokolwiek zszedł poniżej 10nm.
10nm jest jeszcze możliwe ale już z bardzo małym uzyskiem (intel)
wieć to faktyczny kres technologiczny.

Oczywiście jak ktoś nie ma pojęcia chwyci bajeczkę
Tak dla faktu procesowego 3nm to ni mniej ni więcej około ( atom krzemu ma 0,25 nm a wiec owe 3nm) 12 atomów :)
tia ....
Po za tym istnieje problem naświetlania i wytrawiania i wytwarzania struktur ...
bo nie za bardzo jest czym to zrobić
Po za tym istnieje z tym cała masa innych problemów o których nikt tu nie ma nawet fioletowego pojęcia
Edytowane przez autora (2018.05.24, 23:26)
zwiska (2018.05.24, 23:27)
Ocena: -2

67%
PS to teraz TSMC musi byłsnać i czekamy na info jak to w 2021 tam będą robić 2nm :)
Stanley (2018.05.25, 08:43)
Ocena: 3

0%
Adolph @ 2018.05.24 19:37  Post: 1145511
Patrząc na ostatnie problemy, to jeszcze się to wydłuży jak 5 lat xd


Jesli już zakupią naświetlarki 10nm będzie im znacznie łatwiej i będzie wzmożona presja. Kluczowe zeby zrobili ten pierwszy krok. Obecnie 193nm naświetla 14 i 7nm, każde zmniejszanie to kolejne etapy żeby efekt osiągnąć (jeśli nawet nie dwa razy tyle etapów). Po wdrożeniu raz a dobrze FinFETa właściwie jedyne co spada to szybkość produkowania. Więc może nie tyle o zmniejszanie chodzi bo to końcówka, ale o cenę. Zjawisko podobne do wyciskania bitów/Hz w kodowaniu QAM, można praktycznie w nieskończoność podwajać przez wycinanie i porównywanie coraz mniejszych fragmentów sinusoidy. Zgranie wszystkiego w jedną całosć w ruchomych maszynach jest trudne bo proporcje detali do długości fali światła to obecnie ok 16x (193/7). Jakby robić jedno zdjęcie wspólne 16 osobom, ale można tylko jednej osobie naraz. Przy czym 'klisze' wyjmujesz raz to pokrywa chemia innym razem woda i tak na zmiane. Przychodzi taki moment że sie dalej nie opłaca i to jest ten moment. Dla EUV 10nm problemem była blokada w postaci próżni, woda takie światło pochłania. Krzemu nie moze już chłodzić po stareu wydajnosć lamp słaba co wydłuża proces naświetlania. Pierwsze plotki o EUV pamiętam gdy AMD przeniosło się do Drezna i produkowało układy w ~180nm. Technologia znana od 15 lat przyszedł na nią czas. Samsung musi zrobić pierwszy krok w EUV jak ten Mojrzesz i reszta za nimi pójdzie :P

Podobno (według Sophie Willson) 28nm daje kost 1.40 (jakiegoś tam ułamka dolara) w przeliczeniu na bramkę dla 22nm to było 1.50, dla 14nm wzrosło do ~1.54 dla 10nm wzrasta do 1.58 dla 7nm 1.56 / bramkę. Nie na powierzchnie ale na bramkę. Więc poza problemami nic nie wynika z samego zmniejszania ukladów, nie może być darmowego podwajania ilości tranzystorów jak wcześniej jedyne co zmienia to zmniejsza zapotrzebowanie na prąd. Wykonano 3 kroki zmniejszania cena powinna spaść 8 krotnie wiec jest sporo do ugrania - z przeszłości. Dlatego tak długo była blokada żeby przejść 28nm na 14nm i tak długo Intel nas mamił 4 rdzeniami. Poprzednio np. 45nm dawało 2.5, 65nm aż 4 (dane od Sophie) więc był sens zmniejszać i podwajać wydajnosć używając coraz więcej bramek. Jeśli Samsung raz wejdzie w EUV to coś się zmieni.

Myśle więc ze jest faktycznie nadzieja jakiś rozwój.
Edytowane przez autora (2018.05.25, 16:31)
gregorio (2018.05.25, 08:51)
Ocena: 0

0%
Szybko jada w dol z tym nazewnictwem. Niedlugo pewnie zaczna oznaczac procesy w pm. :E
Zaloguj się, by móc komentować
Aktualności
Władze amerykańskiego przedsiębiorstwa mogą mieć powody do zadowolenia. 16
Spodziewamy się dużo większej wytrzymałość niż w przypadku obecnej generacji. 6
Coś dla fanów naprawdę dużych smartfonów. 1
Nowy system operacyjny od wyszukiwarkowego giganta coraz bliżej. 10
Banhammer uderzył z pełną mocą. 51
Przeciek z oficjalnej strony produkcji. 15
Duża moc zamknięta w małej obudowie. 5
Banhammer uderzył z pełną mocą. 51
Kiedyś może będzie poprawa. 58
Nawet dwudziestokrotnie wydajniejszy niż poprzednik. 24
Ogromny ekran i solidny akumulator. 41
Kasa musi się zgadzać. Ostatnie miesiące dla serwisu społecznościowego Facebook nie były najlepsze. 34
Wszystkie starsze dodatki dostępne za darmo. 36
Przeciek z oficjalnej strony produkcji. 15
Banhammer uderzył z pełną mocą. 51
Ogromny ekran i solidny akumulator. 41
Kiedy będą mogły przytulić nowe Ryzeny? 15
Kasa musi się zgadzać. Ostatnie miesiące dla serwisu społecznościowego Facebook nie były najlepsze. 34
Trzy modele dla wymagających. NZXT zaprezentował dzisiaj swoje nowe zasilacze z serii E. 6
Artykuły spokrewnione
Facebook