Do końca 2021 roku na rynku pojawią się 140-warstwowe pamięci 3D NAND Flash

Większa pojemność, niższe koszty. Podczas imprezy International Memory Workshop Sean Kang z firmy Applied Materials zaprezentował plany rozwoju dla pamięci 3D NAND na najbliższe trzy lata. Według niego, producenci kości będą dalej zwiększać liczbę warstw w swoich układach, co przełoży się na zwiększenie ich pojemności.

Jak twierdzi Kang, do 2021 roku sporo na rynku nośników danych się zmieni. Obecnie najbardziej zaawansowane chipy 3D NAND Flash zbudowane są z maksymalnie z 64 lub 72 warstw, zależnie od producenta i segmentu, na który sprzęt jest kierowany. Jeszcze w tym roku mamy zobaczyć jednostki 96-warstwowe, a konkretnie pamięci BiCS4 opracowane przez Toshibę i Western Digital. Kolejne lata są równie ciekawe.

W 2020 roku na rynku powinny zadebiutować chipy złożone z ponad 120 warstw, a rok później z aż 140. Będzie to możliwe dzięki zmniejszeniu ich grubości z około 60 nm do 45 nm. Równocześnie jednak zwiększy się wysokość stosów z 4,5 – 5,5 μm do około 8 μm. Proces produkcji ma stać się bardziej skomplikowany i prawie pewne jest, że do budowy nowych chipów potrzebne będzie użycie nowych technik i materiałów.

W harmonogramie brakuje niestety danych na temat spodziewanej pojemności pamięci. To, że nowe chipy będą pod tym względem wypadać lepiej niż obecnie jest oczywiste, ale nie wiadomo, jaka będzie różnica. Obecnie dostępna technologia pozwala na budowę 64-warstwowych chipów o pojemności 512 Gb. Można więc założyć, że dla 128-warstwowej jednostki wartość ta wzrośnie co najmniej do 1024 Gb. Należy jednak pamiętać, że wiele zależy od samego typu kości i chipy QLC będą oferować lepsze upakowanie danych niż TLC, czy MLC. Właśnie dzięki zastosowaniu tych pierwszych, Samsung zamierza przygotować pierwszy nośnik SSD oferujący aż 128 TB miejsca na dane.