aktualności

Samsung rozpoczął masową produkcję kości 16 Gb LPDDR4X na rynek motoryzacyjny

6 25 kwietnia 2018, 14:56 Adrian Kotowski

Układy o bardzo wysokiej wytrzymałości termicznej. Samsung pochwalił się, że właśnie uruchomił masową produkcję 16-gigabitowych kości pamięci DRAM LPDDR4X, tworzonych w procesie technologicznym klasy 10 nm. Chipy kierowane są na rynek motoryzacyjne i będą używane m.in. w autonomicznych pojazdach, czy jako element systemów ADAS.

Według Samsunga, jego nowe kości są najbardziej zaawansowanym rozwiązaniem dostępnym na rynku. Chipy 16 Gb LPDDR4X mają cechować się przede wszystkim niezawodnością i bardzo dużą wytrzymałością. Produkty zgodne są z wymogami Automotive Grade 1 i mogą pracować w temperaturze od -40°C do 125°C. Co ciekawe, nawet przy tej drugiej wartości szybkość transferu ma pozostawać na bardzo wysokim poziomie.

Samsung

Samsung podaje, że kości mogą pracować z szybkością 4266 Mb/s, o 14 procent wyższą niż dla układów 8 Gb LPDDR4 produkowanych w litografii klasy 20 nm. Nowe rozwiązanie jest też o 30 procent bardziej efektywne energetycznie w porównaniu do starszych chipów. Koreańczycy poinformowali, że w przyszłości w portfolio pamięci dla rynku motoryzacyjnego znajdą się też kości 12 Gb, 24 Gb i 32 Gb.

Samsung uważa, że zainteresowanie nowymi chipami powinno być bardzo duże. Firma liczy ponadto, że klienci zdecydują się na zakup pakietowy i wybiorą też zaprezentowane w lutym tego roku kości eUFS o pojemności 256 GB.

Sprawdź ranking najpopularniejszych pamięci RAM na polskim rynku

Źródło: Samsung
PiiooZobacz profil
Poziom ostrzeżenia: 0%
Piioo2018.04.25, 15:06
-4#1
A co z problemem dostępności?
Gatts19Zobacz profil
Poziom ostrzeżenia: 0%
Gatts192018.04.25, 15:06
-9#2
Dziwię się tylko Samsungowi ,że zwleka z wydaniem DDR4 na rynek PC w tej drugiej generacji 10nm.Według wstępnych założeń powinniśmy wtedy otrzymać DDR4 z 5600MT/s albo nawet wyżej w najlepszym możliwym wariancie.Jeżeli obecne nominalne DDR4 mają 2666MT/s z CL15 a nowe mają mieć 3200MT/s przy CL14 na 1.2V to kręcący na maksa te pamięci będą z nich wyciągać więcej.A być może rynek PC nie jest tak opłacalny dlatego nie chcą produkować jeszcze DDR4 dla tej części rynku.
Darko7Zobacz profil
Poziom ostrzeżenia: 0%
Darko72018.04.25, 15:21
-1#3
Gatts19 @ 2018.04.25 15:06  Post: 1140555
Dziwię się tylko Samsungowi ,że zwleka z wydaniem DDR4 na rynek PC w tej drugiej generacji 10nm.Według wstępnych założeń powinniśmy wtedy otrzymać DDR4 z 5600MT/s albo nawet wyżej w najlepszym możliwym wariancie.Jeżeli obecne nominalne DDR4 mają 2666MT/s z CL15 a nowe mają mieć 3200MT/s przy CL14 na 1.2V to kręcący na maksa te pamięci będą z nich wyciągać więcej.A być może rynek PC nie jest tak opłacalny dlatego nie chcą produkować jeszcze DDR4 dla tej części rynku.

Najpierw trzeba opróżnić magazyny...powoli...aby ceny za bardzo nie spadły.
RyzenZobacz profil
Poziom ostrzeżenia: 0%
Ryzen2018.04.25, 17:09
-4#4
'zaprezentowane w lutym tego roku kości eUFS o pojemności 256 GB'
https://gadgets.ndtv.com/mobiles/news/sams...-v-nand-1783951
Stefan999Zobacz profil
Poziom ostrzeżenia: 0%
Stefan9992018.04.25, 17:31
-2#5
To pewnie trafi do Galaxy S10.
KaliphastZobacz profil
Poziom ostrzeżenia: 0%
Kaliphast2018.04.26, 18:37
Ryzen @ 2018.04.25 17:09  Post: 1140584
'zaprezentowane w lutym tego roku kości eUFS o pojemności 256 GB'
https://gadgets.ndtv.com/mobiles/news/sams...-v-nand-1783951
Z Twojego źródła:
'Utilising Samsung's latest 64-layer 512-gigabit V-NAND chips (eight of them),'
Zaloguj się, by móc komentować
1