Aktualność
Piotr Gontarczyk, Środa, 4 maja 2011, 21:44
Firma Intel ogłosiła dziś, jak twierdzi, znaczący przełom w ewolucji tranzystora. Po raz pierwszy tranzystory korzystające z trójwymiarowej struktury będa podstawowym budulcem produktów wprowadzonych do masowej produkcji. Nowe tranzystory 3-D Tri-Gate, o których świat usłyszał po raz pierwszy w 2002 roku, będą podstawą do produkcji w 22 nanometrowym procesie produkcyjnym procesorów o nazwie kodowej "Ivy Bridge".

Nowe tranzystory 3-D Tri-Gate Intela pozwolą procesorom na pracę przy niższym napięciu i ograniczeniu strat energetycznych, czego wynikiem ma być zwięszona wydajność i zmniejszone zapotrzebowanie na energię, w porównaniu do poprzedniej generacji tranzystorów. Te właściwości dadzą projektantom procesorów nowe możliwości i wybór zastosowania tranzystorów o konkretnych właściwościach do produkcji chipów nastawionych na zwiększoną wydajność lub zmniejszony pobór energii.

Nowe tranzystory 3-D Tri-Gate oferują do 37% więcej wydajności przy niskim napięciu w porónaniu z 32-nanometrowymi jednostkami "dwuwymiarowymi". Jest to cecha która ma być kluczowa w zastosowaniach do smartfonów i innych urządzeń mobilnych.

Z biegiem czasu tranzystory stają się coraz mniejsze, tańsze w produkcji i bardziej wydajne energetycznie – zgodnie z Prawem Moore'a, które sformuował współzałożyciel Intela Gordon Moore. Utrzymanie dynamiki postępu Prawa Moore'a stało się jeszcze bardziej skomplikowane przy generacji 22-nanometrowych tranzystorów. Przewidując to wyzwanie, naukowcy i inżynierowie Intela w 2002 roku stworzyli tranzystor, który nazwali „Tri-Gate” (trój-bramkowy) ze względu na zastosowanie bramki kontrolującej przepływ energii z trzech stron (a nie jednej, jak w poprzednich generacjach).

Tranzystory 3-D Tri-Gate to praktycznie “wynalezienie” tranzystora od nowa. Stosowane dziś, tradycyjne "płaskie" dwuwymiarowe “bramki” zostają zastąpione przez niezwykle cienkie, trójwymiarowe, pionowe "żebro" (kanał tranzystora którym poruszają się elektrony) wyrastające z krzemowego podłoża. Kontrola przepływającej energii ma miejsce teraz z trzech stron "żebra" – dwóch po bokach i jednej z góry – w przeciwieństwie do tylko jednostronnej kontroli od góry w tranzystorach dwuwymiarowych poprzedniej generacji. Dodatkowa kontrola pozwala na zwiększenie przepływu energii gdy tranzystor jest włączony (dla większej wydajności) i zmniejszenie niekontrolowanego upływu energii praktycznie do zera, gdy jednostka jest nieaktywna.
Źródło: Intel
Ocena aktualności:
Ocen: 5
Zaloguj się, by móc oceniać
Matrik90 (2011.05.04, 22:30)
Ocena: 6

0%
Moda na 3D zapanowała już na dobre ;)
Labovsky (2011.05.04, 22:31)
Ocena: 4

0%
Matrik90 @ 2011.05.04 22:30  Post: 476082
Moda na 3D zapanowała już na dobre ;)


Biorąc pod uwagę, że Intel mówił o tym już dekadę temu, to moda ta trwa już od dość dawna ;)
SyFeQ! (2011.05.04, 22:40)
Ocena: -3

0%
3D tu, 3D tam, szybsze procesory - bam! Zapowiada się ciekawie :) Niedługo procki w smartfonach będą porównywalne do procesorów aktualnie nowych i w miarę nowych komputerów :)
Inszy (2011.05.04, 23:09)
Ocena: 5

0%
A bo akurat wiesz jaką architekturę zrobi AMD - jak będzie wydajna, na jakich napięciach będą chodziły procki i z jakimi taktowaniami.
Zaloguj się, by móc komentować
Aktualności
Artykuły spokrewnione
Facebook
Ostatnio komentowane