Elpida Memory zapowiedziała opracowanie 512-megabitowych chipów DDR3 SDRAM. Układy mają pracować z szybkościami do 1333 MHz (dwukrotnie szybciej niż produkowane obecnie na skalę masową chipy DDR2). W pamięciach wykorzystano technologię tranzystorów zwaną dual-gate, spotykaną do tej pory w procesorach. Technologia zapewnia z jednej strony możliwość szybkiego działania układów przy jednoczesnym niewielkim zużyciu energii. Jak wspomina Elpida, to pierwszy raz, kiedy technologia ta trafiła do chipów DRAM.
Pamięć ma pracować z napięciem 1,5 V. Obecnie układy DDR2 funkcjonują przy napięciu 1,8 V. Chipy będą powstawać w technologii 90 nm.
Pierwsze próbne partie układów mają trafić na rynek jeszcze w tym roku. Produkcja ma ruszyć w roku 2006. Firma planuje też produkcję chipów bardziej pojemnych, 1-gigabitowych i 2-gigabitowych. Poniżej fotografia.
Pamięć ma pracować z napięciem 1,5 V. Obecnie układy DDR2 funkcjonują przy napięciu 1,8 V. Chipy będą powstawać w technologii 90 nm.
Pierwsze próbne partie układów mają trafić na rynek jeszcze w tym roku. Produkcja ma ruszyć w roku 2006. Firma planuje też produkcję chipów bardziej pojemnych, 1-gigabitowych i 2-gigabitowych. Poniżej fotografia.

Źródło: CdrInfo

A mi sdr
Ale produkcja ma ruszyć w 2006 roku a na wtedy dopiero AMD zaplanowało przejście na DDR2 wraz z nowymi podstawkami