AM4 i procesory Ryzen to jedna z platform, które dają entuzjastom duże możliwości „tweakowania” – osiągnięcia znacznie większej wydajności, niż zapewniają fabryczne ustawienia, za pomocą kilku środków wykraczających poza proste podkręcanie rdzeni procesora.
Rdzenie procesora Ryzen są zorganizowane w dwie grupy (CCX – Core Complex) i połączone ze sobą oraz z kontrolerem pamięci siecią łączy Infinity Fabric. Te mają takie samo taktowanie jak taktowanie pamięci – przyspieszanie RAM-u usprawnia zatem również komunikację między rdzeniami oraz między każdym rdzeniem a pamięcią podręczną L3.
W tym artykule przedstawimy pierwsze kroki, które trzeba podjąć, żeby wydobyć największą wydajność z maszyny z procesorem Ryzen.
Podkręcanie procesora
Niewiele jest prostszych procedur. Ponieważ wszystkie modele Ryzen mają odblokowany mnożnik, a tylko nieliczne płyty umożliwiają regulację zegara bazowego, w większości przypadków mamy do dyspozycji tylko najłatwiejszy sposób podkręcania: przez podnoszenie mnożnika.
Każdy Ryzen, jakim dysponowaliśmy do tej pory, umożliwiał przyspieszenie do około 3,9 GHz. Zdarzają się gorsze egzemplarze, ale są rzadkością. Dobrym punktem wyjścia są ustawienia:
- mnożnik procesora: ×39,00
- napięcie VCORE: 1,35 V.
Po sprawdzeniu stabilności można przyspieszać taktowanie albo obniżać napięcie.
Wiele płyt głównych (szczególnie z chipsetem B350) umożliwia ustawianie napięcia nie bezpośrednio, a jedynie w trybie offset, w którym napięcie zmienia się zgodnie z funkcjami oszczędzania energii procesora, ale jest wyższe o zadaną wartość. Odpowiednie opcje nazywają się różnie na różnych płytach: na płytach firm ASRock i Gigabyte – CPU Vcore Voltage, Asus – VDDCR CPU Voltage, MSI – CPU Core Voltage.
Po uruchomieniu komputera w domyślnych ustawieniach wystarczy sprawdzić, jakie jest w przybliżeniu napięcie zasilania rdzeni CPU, i dodać w trybie offset tyle, ile brakuje do pożądanej wartości.
Napięcie w trybie offset czy na stałe?
Główną zaletą trybu offset jest zachowanie mechanizmu obniżania napięcia, kiedy procesor nie jest obciążony. Z kolei ustawienie napięcia „na sztywno” zapewnia lepszą kontrolę – zawsze wiemy, ile dokładnie ustawiliśmy. Podczas szukania maksymalnych możliwości swojego procesora łatwiej skorzystać z ustawienia „na sztywno”, a na co dzień używać trybu offset. Ma to jednak niewielkie znaczenie, bo mechanizmy oszczędzania energii w dzisiejszych procesorach polegają głównie na odłączaniu zasilania od nieaktywnych podsystemów (power gating), a obniżanie napięcia w spoczynku pozwala zaoszczędzić nie więcej niż kilka watów. Poza tym tylko najdroższe płyty AM4 mają oba mechanizmy ustawiania napięcia.
Podkręcanie „na sztywno” czy za pomocą p-stanów?
Wiele płyt umożliwia określenie własnych p-stanów, czyli stanów energetycznych procesora. Każdy z nich to kombinacja napięcia i mnożnika CPU. P-stany są mechanizmem oszczędzania energii, ale działają niezależnie od wbudowanych w procesor sprzętowych mechanizmów odcinania zasilania i sygnału zegarowego. Są przydatne głównie przy downclockingu, czyli obniżaniu napięcia i taktowania względem domyślnych. Podkręcanie bez p-stanów nie wyłącza wszystkich mechanizmów oszczędzania energii – procesor i tak będzie spowalniał taktowanie w spoczynku. Różnica w poborze energii również jest niewielka.
Testowanie stabilności
Po podkręceniu trzeba sprawdzić, czy procesor może stabilnie działać z wybranymi ustawieniami. Są setki sposobów sprawdzania stabilności, zacięcie bronionych przez ich zwolenników.
Nie ma czegoś takiego jak po prostu „stabilne podkręcenie” – zawsze trzeba określić, jakie było kryterium stabilności. W naszych testach kryterium jest proste: jeśli komputer bez problemów ukończy wszystkie testy z procedury testowej procesorów, to uznajemy ustawienia za stabilne. W sumie trwa to około 3–5 godzin (zależnie od wydajności procesora). Dla procesorów pracujących na granicy swoich możliwości najtrudniejsze do ukończenia są testy kodowania wideo w Adobe Media Encoder i x264. Kto chciałby sprawdzić możliwości schładzacza i układu zasilania procesora, może użyć narzędzia typu power virus, takiego jak: LinX, Intel Burn Test, OCCT. To programy specjalnie zaprojektowane po to, by procesor pobierał jak największą ilość energii, często niespotykaną podczas zwykłego użytkowania. Niestety, nie są one dobrymi wyznacznikami stabilności. IBT albo OCCT włączony na 24 godziny nagrzeje, owszem, pomieszczenie, ale nie da pewności, że w typowym użytkowaniu nie pojawią się niebieskie ekrany śmierci.
Najlepszym testem stabilności jest po prostu długie użytkowanie komputera w zwykły sposób. Żeby jak najszybciej wykryć niestabilność bez pomocy syntetycznych testów, warto użyć testu stabilności wbudowanego w program RealBench.
Pozostałe napięcia mają marginalny wpływ na podkręcanie samego procesora. VSOC to napięcie zasilania części procesora odpowiedzialnej za zewnętrzne i wewnętrzne interfejsy komunikacyjne: kontrolera pamięci, kontrolera PCI-E, łączy Infinity Fabric (więcej piszemy o nim na dalszych stronach). CPU 1.80 Voltage (lub podobne na innych płytach) to napięcie odniesienia wykorzystywane przez generator sygnału zegarowego; jego regulacja pomaga w podkręcaniu z użyciem chłodzenia ekstremalnego, ale nie jest konieczna w zwykłych warunkach.
Przepis na podkręcanie – pamięć operacyjna
Starsi Czytelnicy zapewne pamiętają czasy, kiedy do osiągnięcia sukcesu w podkręcaniu konieczny był bardzo dobry zestaw pamięci. W początkowym okresie popularności procesorów Core 2 zapaleńcy podkręcania kupowali szybki RAM nie dlatego, że zapewniał lepszą wydajność samemu podsystemowi pamięci, ale dlatego, że pozwalał mocniej przetaktować sam procesor. Pamięć nie mogła działać wolniej niż synchronicznie z magistralą FSB, więc żeby przyspieszyć procesor o fabrycznym taktowaniu FSB = 333 MHz, trzeba było przetaktować FSB do 500 MHz, a pamięć – do DDR-1000 lub więcej. DDR-1000 to już dużo, jak na pamięć DDR2; popularne były na przykład zestawy o standardowej prędkości DDR-800 CL4 i gwarantowanej możliwości przetaktowania do DDR-1000 CL5.
W erze DDR3 i DDR4 właściwie wszystkie procesory i kontrolery pamięci zapewniają na tyle elastyczne mnożniki RAM, że szybkie moduły nie są niezbędne do podkręcania procesora.
W przypadku procesorów Ryzen szybkie moduły nie są niezbędne, ale są przydatne – głównie ze względu na to, że podkręcanie pamięci przyspiesza też łącza Infinity Fabric.
Czy muszę mieć drogi zestaw pamięci?
Niekoniecznie – ale każdy powinien mieć najnowszą wersję UEFI. Od kilku dni do wszystkich płyt głównych X370 i B350 (jak twierdzi AMD) jest dostępne UEFI z blokiem AGESA 1.0.0.6 lub nowszym. AGESA to część kodu UEFI przygotowywana przez AMD i dostarczana producentom płyt głównych. Odpowiada między innymi za uruchomienie i konfigurację procesora, łącza z mostkiem południowym, interfejsu pamięci i wbudowanego układu bezpieczeństwa (PSP). Ponieważ AGESA określa pewien podstawowy zestaw funkcji UEFI, na płytach głównych różnych producentów znajdziemy te same opcje, często nawet pogrupowane w ten sam sposób – w zakładce AMD CBS (Common BIOS Specification).
Najważniejszą dla większości zmianą w UEFI z blokiem AGESA 1.0.0.6 jest „poprawiona kompatybilność z pamięcią RAM”. Tak to opisują producenci, chociaż to nieco mylące sformułowanie. Powinni raczej pisać „poprawione możliwości podkręcania pamięci”. Pamiętajmy, że najnowsze platformy Intela i AMD oficjalnie obsługują tylko pamięć o prędkości do DDR-2666. Wszystko powyżej jest traktowane jako podkręcanie – czyli nigdy nie jest gwarantowane! Zakup zestawu pamięci reklamowanego przez producenta na przykład jako DDR-3200 nigdy nie daje pewności, że w danym komputerze zestaw będzie działał właśnie z taką prędkością.
Co więcej, w przytłaczającej większości przypadków po pierwszym uruchomieniu komputera prędkość pamięci zostanie ustawiona na DDR-2133 lub DDR-2400. Uzyskanie większej prędkości wymaga ingerencji użytkownika. Na niektórych płytach głównych umieszczono przyciski pozwalające na automatyczne załadowanie profilu XMP, na innych profil XMP trzeba wybrać w UEFI, a na niektórych – lub jeśli pamięć nie ma profilu XMP – trzeba ręcznie wybrać kilka podstawowych parametrów w UEFI.
Żeby osiągnąć taktowanie DDR-3200 i więcej, wciąż trzeba mieć odpowiedni zestaw pamięci – i nie chodzi o jego fabryczne parametry, ale o budowę. Więcej piszemy o tym na dalszych stronach.
Sprawdziliśmy kilka zestawów pamięci na stosunkowo taniej płycie Asus Prime B350-Plus z procesorami Ryzen 7 1800X oraz Ryzen 5 1500X.
Pamięć z korekcją błędów – ECC
Procesory Ryzen obsługują niebuforowaną pamięć z korekcją błędów (ECC). Niebuforowane moduły pamięci są oznaczone jako UDIMM. Pamięć RDIMM (Registered DIMM) oraz FB-DIMM (Fully Buffered DIMM) nie działa z Ryzenami – trzeba na to zwrócić uwagę, bo większość dostępnych modułów z korekcją ECC występuje właśnie w tych dwóch wariantach.
Pamięć LR-DIMM (Load Reduced DIMM – umożliwia budowę bardzo pojemnych modułów stanowiących małe obciążenie dla kontrolera pamięci) teoretycznie jest obsługiwana przez desktopowe procesory Ryzen, ale nie znamy żadnej płyty głównej, która miałaby taką możliwość.
Nawet moduły ECC UDIMM nie są obsługiwane na każdej płycie głównej – na przykład na Asus Crosshair VI Hero nie działa pamięć ECC. Udało nam się uruchomić taką pamięć na płytach: ASRock X370 Killer SLI, ASRock X370 Gaming 4, Asus B350-Plus.
Mnożniki, timingi i napięcia
Timingi pamięci są podawane w cyklach zegara, a więc są wartością względną – ich bezwzględna długość zależy od wybranego taktowania pamięci. W pamięci o taktowaniu DDR-2133 i opóźnieniu CL = 15 czas CL to 14 ns. Odczyt jednego bajta danych w pamięci DDR-2400 CL 17 i DDR-2666 CL 19 trwa mniej więcej tyle samo czasu. Przyspieszanie taktowania wraz ze zwiększaniem timingów zwiększa przepustowość podsystemu pamięci, a opóźnienie w dostępie do pamięci pozostaje bez zmian.
W praktyce opóźnienie w dostępie nieznacznie się zwiększa wraz ze wzrostem częstotliwości taktowania, bo automatyczne reguły konfiguracji kontrolera pamięci wydłużają niektóre niewidoczne dla użytkownika timingi. Mimo to przyspieszenie taktowania i proporcjonalne zwiększenie podstawowych timingów zwykle są korzystne w większości zastosowań.
Na większości płyt po zaktualizowaniu UEFI do najnowszej wersji znajdziemy takie oto ustawienia:
1. Pierwszorzędne timingi pamięci
Zwykle ustawiamy tylko tych pięć timingów (tRCDRD i tRCDWR często są połączone jako tRCD). Im są mniejsze, tym wydajniejszy jest podsystem pamięci.
2. Drugorzędne timingi pamięci
Zaznaczone timingi mają największe znaczenie dla wydajności. CWL powinno być nie większe niż CL. RFC zwykle warto ustawić pomiędzy 250 a 500, a RDRDSCL i WRWRSCL (niewidoczne na tym zrzucie ekranu) – na jak najniższe wartości (2–4).
3. Parametry kontrolera pamięci
Te ustawienia pomagają w osiągnięciu szybkiego taktowania w przypadku bardziej wymagających konfiguracji.
Gear Down Mode – włączenie (Enabled) nieco pogarsza wydajność, ale pozwala poprawić stabilność, kiedy opcja Command Rate jest ustawiona na 1.
BankGroupSwap – wyłączenie (Disabled) poprawia wydajność, ale pogarsza stabilność. Użyteczne tylko w konfiguracjach z jednym jednostronnym modułem na kanał.
ProcODT – impedancja interfejsu I/O w kontrolerze pamięci w procesorze. Regulacja może być konieczna do uzyskania szybkiego taktowania w konfiguracjach z dwoma modułami pamięci na kanał. Optymalna wartość zależy od konkretnego procesora; zwykle zawiera się pomiędzy 43,6 Ω a 60 Ω.
Niezależnie od jakości procesora i zestawu pamięci do osiągnięcia szybkiego taktowania będzie konieczna regulacja jednego lub więcej napięć.
Pierwszym krokiem jest podniesienie napięcia zasilania tej części procesora, która zawiera łącza Infinity Fabric oraz kontrolery IO. Odpowiednie opcje nazywają się tak: na płytach firmy ASRock – VDDCR_SOC, Gigabyte – Vcore SOC, Asus – VDDCR CPU Voltage, MSI – CPU NB/SoC Voltage. Domyślne napięcie to około 0,90 V. W zależności od jakości procesora i docelowego taktowania trzeba będzie je podnieść do 1,05–1,30 V. Wyższe napięcie nie zawsze skutkuje większą stabilnością! Należy uważać na mechanizmy UEFI automatycznie podnoszące napięcie. Większość płyt po wybraniu profilu XMP albo ustawieniu mnożnika pamięci wyższego niż DDR-2666 automatycznie podnosi to napięcie. Na przykład płyta Asus B350-Plus (patrz zrzut ekranu powyżej) ustawia automatycznie 1,20 V, a do tego dodaje wartość wybraną przez użytkownika w polu offset.
Oczywiście, podkręcanie RAM-u często wymaga zwiększenia napięcia zasilania pamięci. Domyślne napięcie zasilania DDR4 to 1,20 V; niektóre zestawy wymagają 1,35 V do osiągnięcia nominalnej prędkości, a niemal zawsze można je podnieść do 1,40 V z korzyścią dla możliwości podkręcania.
Na większości płyt głównych dostępna jest też regulacja napięcia odniesienia dla sygnałowania RAM-u (DDR VREF Voltage, VTT_DDR i podobne). Zwykle zostaje ono automatycznie podniesione wraz ze zwiększeniem napięcia zasilania RAM-u, ale jeśli nie ma się pewności albo możliwości monitorowania go, można je ręcznie ustawić na połowę napięcia zasilania RAM-u.
Wydajność a taktowanie pamięci
Przetestowaliśmy konfigurację z 64 GB RAM-u w czterech modułach przy kilku prędkościach:
- DDR-2133 15-15-15-36 – z taką prędkością i ze zbliżonymi timingami będzie działać pamięć w komputerze, o ile nie ustawimy ręcznie innej wartości.
- DDR-2666 16-16-16-36 – maksymalne gwarantowane przez AMD taktowanie pamięci w konfiguracji z dwoma jednostronnymi modułami. Szybsze taktowanie jest możliwe, ale jest traktowane jako podkręcanie. Timingi dobraliśmy ze względu na możliwości modułów pamięci GoodRAM oraz płyt głównych (na wielu płytach z mnożnikami DDR-2666 i wyższymi działają tylko parzyste CL).
- DDR-2933 18-18-18-38 – maksymalna prędkość, jaką osiągnęliśmy z czterema modułami. Takie taktowanie nie powinno sprawiać kłopotów na żadnej płycie głównej B350 lub X370 w połączeniu z większością zestawów pamięci o nominalnej prędkości DDR-2666 lub wyższej.
- DDR-3200 14-14-14-32 – to ustawienie przetestowaliśmy w połączeniu z dwoma jednostronnymi modułami – na większości płyt głównych tylko w takiej konfiguracji jest możliwe takie taktowanie.
Nie od dziś wiadomo, że konfiguracje z dwustronnymi modułami pamięci są wydajniejsze od tych z jednostronnymi. Im więcej szeregów pamięci (jeden jednostronny moduł to jeden szereg), tym mniej przerw w transferze danych – kontroler pamięci może przesyłać dane do jednego szeregu, podczas gdy drugi jest odświeżany. Jak się okazuje, w wielu zastosowaniach wolniejsza pamięć o wyższych timingach w konfiguracji z czterema szeregami na kanał zapewnia lepszą wydajność niż szybka pamięć o niższych timingach, ale w jednostronnych modułach.
DDR-3200 to stosunkowo trudny do przekroczenia próg na platformie AM4: potrzebny jest specyficzny zestaw pamięci lub jedna z lepszych płyt głównych. Za to DDR-2933 stosunkowo łatwo osiągnąć.
Duża pojemność – 64 GB w czterech modułach
Możliwości zainstalowania dużej ilości pamięci na platformie z procesorem Ryzen znacznie się poprawiły od marca. Najtańsze moduły o pojemności 16 GB kosztują: w kompletach po dwa – około 500 zł, pojedynczo – około 530 zł. Moduły 32-gigabajtowe są dostępne tylko w wersjach LR-DIMM (Load Reduced DIMM) i RDIMM (Registered DIMM). Procesory Ryzen nie obsługują modułów RDIMM, a LR-DIMM teoretycznie mogłyby działać, ale nie znamy żadnej płyty głównej z taką funkcją. Maksymalnie w maszynie z procesorem Ryzen można zatem zainstalować do 64 GB pamięci.
Sprawdziliśmy to z użyciem czterech modułów GoodRAM IRDM 16 GB DDR-2133 15-15-15-36. Mają kosztować około 550 zł za sztukę.
Moduły zbudowano na czarnym laminacie serii Iridium i osłonięto prostymi radiatorami. Te są bardzo dobrze przymocowane, ale pełnią funkcję kosmetyczną – podczas pracy modułów wzrost ich temperatury jest ledwie wyczuwalny.
Producent modułów nie wpisał w SPD, jaka firma dostarczyła kości pamięci. W grę wchodzą zapewne kości Micron B i Hynix AFR.
Według AMD procesory Ryzen obsługują maksymalnie prędkość DDR-1866 w konfiguracji z czterema dwustronnymi modułami. Ku naszemu zadowoleniu na płycie B350-Plus pamięć uruchomiła się po zresetowaniu ustawień z domyślną prędkością: DDR-2133, co już wykracza poza gwarancję AMD. Bardzo łatwo osiągnęliśmy prędkość DDR-2933 przy timingach CL18 18-18-38 1N.
Wymagało to zmiany tylko kilku ustawień: głównych czterech timingów pamięci, napięcia pamięci i napięcia VSOC, jak widać poniżej:
Jaką pamięć wybrać do procesora Ryzen?
Ci, którym zależy na najszybszym taktowaniu, mają tylko jeden rozsądny wybór: zestaw pamięci z jednostronnymi modułami opartymi na kościach Samsung B. Nawet w UEFI z najnowszą wersją bloku AGESA takie moduły zapewniają najłatwiejsze podkręcanie do DDR-3200 i powyżej.
Moduł pamięci na powyższym zdjęciu jest jednostronny, co można łatwo zobaczyć, oglądając go z boku albo od strony styków. Kości pamięci są tylko po górnej stronie modułu; po drugiej stronie przyklejono elastyczne tworzywo ułatwiające montaż radiatorów.
Niestety, ta informacja jest niezwykle rzadko podawana przez producentów modułów pamięci.
Producenci niemal nigdy nie podają też, jakich kości użyto – między innymi dlatego, że w ramach jednego modelu modułów kości mogą się różnić w zależności od rewizji czy tygodnia produkcji. O budowie modułów można wnioskować po nominalnych parametrach. Zestawy przetestowane z prędkością DDR-3333 i większą prawie zawsze są oparte na kościach Samsung B. To po prostu jedyne kości DDR4 o takich możliwościach. Z kolei zestawy DDR-3000 i wolniejsze prawie zawsze są zbudowane z tańszych kości. Wśród zestawów DDR-3200 tylko te droższe mają kości Samsung B; jeśli pierwsze trzy timingi nie są równe (np. 16-18-18), to jest prawie pewne, że zbudowano je z jakichś innych komponentów.
Niektóre marki stosują tylko kości jednego producenta: na przykład moduły Samsung zawsze mają kości Samsung (ale niekoniecznie z pożądanej serii), a moduły Crucial – kości Micron (Crucial to marka firmy Micron).
Pokrótce omówimy własnoręcznie sprawdzone w działaniu zestawy RAM-u:
- Corsair Vengeance LPX 2 × 8 GB DDR-3000 – jeden z podstawowych modeli w ofercie Corsaira. Uruchamia się bez problemu z prędkością DDR-2666, podkręca do DDR-2933. Domyślnego taktowania DDR-3000 nie da się osiągnąć na każdej kombinacji płyty głównej i procesora, a więcej niż DDR-3200 nie udało nam się osiągnąć na żadnej płycie.
- Corsair Vengeance LED 2 × 8 GB DDR-3000 – ten sam zestaw co powyżej, tylko z innymi radiatorami.
- Crucial Ballistix Elite 2 × 8 GB DDR-2666 – starszy zestaw, oferowany w czasie, gdy Intel wprowadzał procesory Skylake. Uruchamia się bez problemu z prędkością DDR-2666, podkręca do DDR-2933, ale powyżej – z trudem.
- GoodRAM IRDM 16 GB DDR-2133 – z takich czterech modułów zbudowaliśmy konfigurację o pojemności 64 GB i prędkości DDR-2933. To bardzo satysfakcjonujący wynik, jak na prawie że najtańsze moduły o takiej pojemności.
- G.Skill Ripjaws 4 4 × 4 GB DDR-3000 – starszy zestaw, przeznaczony głównie do platformy LGA2011-3. Daje się uruchomić z prędkością DDR-2666 po zwiększeniu napięcia VSOC, ale możliwości podkręcania są ograniczone.
- G.Skill FlareX 2 × 8 GB DDR-3200 – ten i dwa wymienione poniżej zestawy zbudowano z kości Samsung B. Właściwie na każdej płycie da się je bez większych problemów ustawić na DDR-3200. FlareX to seria przeznaczona specjalnie do procesorów Ryzen; kosztuje nieco więcej niż zestawy DDR-3200 innych marek, ale daje gwarancję najłatwiejszego podkręcania.
- G.Skill TridentZ RGB 4 × 8 GB DDR-3600 – nominalną prędkość osiągnęliśmy z każdym procesorem, jaki mieliśmy do dyspozycji, ale tylko w konfiguracji z dwoma modułami i tylko na płytach głównych X370 ASRocka i Asusa. Osiągnięcie DDR-3200 z użyciem czterech modułów jest możliwe na płycie Crosshair VI Formula.
- Geil Evo X 2 × 8 GB DDR-3200 – zestaw o podobnych właściwościach co G.Skill FlareX.
Podsumowanie – w skrócie o pamięci i podkręcaniu
W skrócie można powiedzieć, że sama regulacja taktowania rdzeni CPU nie zapewni najwyższej wydajności komputera z procesorem Ryzen.
- Podkręcanie pamięci jest równie ważne jak podkręcanie procesora, ponieważ przyspiesza komunikację między rdzeniami oraz między każdym rdzeniem a pamięcią podręczną L3. Przyspieszenie pamięci z DDR-2666 do DDR-2933 często daje podobny zysk wydajności co podkręcenie procesora o kilkaset megaherców.
- Najważniejszym – i darmowym – sposobem na ulepszenie podsystemu pamięci w maszynie z procesorem Ryzen jest ręczne ustawienie prędkości na większą niż DDR-2133, co jest domyślną wartością po pierwszym uruchomieniu każdej płyty głównej. Prędkość DDR-2666 jest osiągalna nawet z użyciem najtańszych zestawów pamięci i daje kilkuprocentowy wzrost wydajności względem domyślnych ustawień.
- Przy podejmowaniu decyzji zakupowych najlepiej kierować się przede wszystkim pojemnością zestawu. Najtańsze zestawy DDR-2666, DDR-2933 i DDR-3000 kosztują mniej więcej tyle samo: około 550 zł za 16 GB (dwa moduły po 8 GB). Do zestawów o nominalnej prędkości DDR-3200 trzeba dopłacić około 20–30%, ale nie każdy z nich da się łatwo podkręcić do takiej prędkości na platformie AM4. Za zestaw o tej samej pojemności z (niemal) gwarantowaną obecnością kości Samsung B (są to na przykład te modele G.Skill TridentZ, które mają nominalną prędkość DDR-3200 lub większą i pierwsze trzy timingi równe, na przykład 16-16-16) trzeba zapłacić około 800–900 zł. To prawie tyle, ile kosztuje dwukrotnie większa pojemność wolniejszej pamięci – a wzrost wydajności czasem jest niewielki, ponieważ...
- Cztery dwustronne moduły o prędkości DDR-2933 dają w większości zastosowań wydajność co najmniej taką samą jak dwa jednostronne moduły o taktowaniu DDR-3200.
- Możliwości podkręcania pamięci zależą przede wszystkim od budowy modułów pamięci (jednostronne lub dwustronne, kości Samsung B lub inne) i od jakości płyty głównej; dopiero potem od jakości konkretnego procesora i zestawu pamięci.
Przydatne zasoby
Jeśli chcesz przeznaczyć więcej czasu i wysiłku na zoptymalizowanie podsystemu pamięci w swojej maszynie z procesorem Ryzen, mogą Ci się przydać te oto informacje:
- Lista kompatybilności pamięci AMD – niewyczerpująca lista zestawów pamięci przetestowanych przez AMD z podaną prędkością. Obejmuje tylko zestawy, które da się uruchomić z prędkością ustawioną w fabrycznej konfiguracji, a nie bierze pod uwagę podkręcania – w większości przypadków wymienione tam zestawy mają większe możliwości.
- Baza wyników podkręcania pamięci na płycie Asus Crosshair VI Hero – stworzona przez użytkowników. Może zawierać błędy. Niestety, obejmuje głównie drogie zestawy o szybkim domyślnym taktowaniu.
- Lista zestawów pamięci na forum overclock.net – można na niej sprawdzić, jakich kości użyto w poszczególnych zestawach. Istotna jest głównie informacja, które zestawy mają kości Samsung B – pomiędzy pozostałymi nie ma zasadniczych różnic w podkręcaniu.
- Szczegółowe testy wydajności różnych timingów pamięci przeprowadzone przez AMD – przy bardzo szybkim taktowaniu, nieosiągalnym dla większości konfiguracji. Mogą być pomocą w regulowaniu drugorzędnych timingów w konfiguracjach z dwoma jednostronnymi modułami.
- Zoptymalizowane ustawienia drugo- i trzeciorzędnych timingów dla zestawów z kośćmi Samsung B – dobry punkt wyjścia do dalszych eksperymentów. Dostępne jako profile podkręcania pamięci na płycie Crosshair VI Hero.