artykuły

DDR4 – nowa generacja pamięci operacyjnej (RAM)

Test pamięci DDR4. Wszystko, co powinieneś o niej wiedzieć

49 1 listopada 2014, 07:57 Mateusz Brzostek

Haswell-E – specyfika platformy

Haswell-E oraz płyty główne z chipsetem X99 i podstawką LGA2011-v3 to w tej chwili jedyna desktopowa platforma wymagająca pamięci DDR4 i jej specyficzne cechy wpływają na domyślne parametry i możliwości podkręcania obecnie dostępnych zestawów DDR4.

Taktowanie pamięci

Oficjalnie obsługiwane przez Intela prędkości taktowania pamięci to DDR-1333, DDR-1600 i DDR-2133, ale w sklepach nie znajdziemy modułów wolniejszych niż DDR-2133. Wszystkie szybsze opcje są traktowane jako podkręcanie i choć producenci je udostępniają i ułatwiają korzystanie z nich, to nie gwarantują ich poprawnego działania.

Jak zwykle dostępnych jest więcej mnożników pamięci niż te oficjalnie obsługiwane. Wzajemne relacje między taktowaniem BCLK, procesora, pamięci L3 i RAM-u są nieco skomplikowane i zasługują na chwilę uwagi.

Wszystkie sygnały taktujące są otrzymywane z jednego zegara źródłowego, domyślnie 100-megahercowego. Ten zegar taktuje łącza PCI-E oraz łącze DMI do mostka południowego. Ten sam zegar pomnożony przez mnożnik BCLK daje zegar bazowy – BCLK. Na platformach Haswell i Haswell-E są trzy działające mnożniki BCLK: ×1, ×1,25, ×1,67. Z BCLK otrzymuje się taktowanie RAM-u, rdzeni x86 w procesorze oraz pamięci podręcznej L3 i magistrali pierścieniowej. Taktowanie RAM-u jest otrzymywane z BCLK i dwóch mnożników: pierwszy wynosi 1 lub 4/3, drugi zaś – od 6 do 40. Pierwszy z tych mnożników można potraktować jako wybór, czy taktowanie pamięci ma być wielokrotnością 100 MHz czy 133 MHz. Spójrzmy na przykład, skąd się bierze taktowanie pamięci DDR-2133:

100,00 MHz (zegar źródłowy) × 1,00 (mnożnik BCLK) × 4/3 (mnożnik odniesienia RAM) × 8 (mnożnik RAM) = 1066 MHz = DDR-2133

Gdybyśmy przyspieszyli zegar bazowy do 130 MHz, zachowując ustawienia pamięci, to taktowanie RAM-u wynosiłoby:

104,00 MHz (zegar źródłowy) × 1,25 (mnożnik BCLK) × 4/3 (mnożnik odniesienia RAM) × 8 (mnożnik RAM) = 1387 MHz = DDR-2773

Doświadczony Czytelnik na pewno pamięta, że do tej pory w każdej platformie z niecałkowitymi mnożnikami typu 4/3 występowały różne niepożądane efekty wpływające na wydajność. Przy przesyłaniu danych między dwoma strefami układu pracującymi z różnymi prędkościami trzeba wykorzystać jakieś kolejki lub bufory; ich zachowanie często jest opisane ukrytymi parametrami, na które użytkownik nie ma wpływu. Tak samo jest w przypadku Haswella-E: nieznany bliżej mechanizm powoduje, że mnożniki pamięci będące wielokrotnością 133 MHz (z mnożnikiem odniesienia RAM 4/3) dają w niektórych zastosowaniach niższą wydajność niż to samo taktowanie otrzymane przez zwielokratnianie 100 MHz:

Różnica w wydajności jest niemal niewidoczna w zastosowaniach niekorzystających z karty graficznej, ale w grach bywa spora (choć nie jest to regułą). W miarę możliwości warto podczas podkręcania wybierać mnożniki pamięci będące całkowitą wielokrotnością BCLK.

4