Monitory i projektory
Artykuł
Marek Kowalski, Poniedziałek, 27 stycznia 2014, 07:20

Zaleta pierwsza – rozdzielczość

IGZO to skrót od anglojęzycznych nazw czterech pierwiastków: indu, galu, cynku (ang. zinc) oraz tlenu (ang. oxide). To podstawowe składniki związku zastosowanego w nowego typu tranzystorach TFT.

Po raz pierwszy kryształ IGZO udało się wyizolować naukowcom z japońskiego Narodowego Instytutu Badawczego Materii Nieorganicznej. Zespół kierowany przez dr. Noboru Kimizukę uzyskał kryształową strukturę związku IGZO już w 1985 roku. 

Następny istotny etap w badaniu właściwości IGZO przyniósł rok 2004, kiedy to profesor Hideo Hosono z tokijskiego Instytutu Techniki opublikował w listopadowym numerze Nature artykuł, w którym udowodnił, że kryształy IGZO wykorzystane do konstrukcji tranzystorów i całych matryc TFT charakteryzują się kilkadziesiąt razy większą ruchliwością elektronów niż stosowane powszechnie w wyświetlaczach LCD tranzystory TFT z amorficznego krzemu.

Zanim jednak przejdziemy do ciekawych cech związanych z przepływem elektronów przez tranzystory IGZO, napiszemy o zalecie najłatwiejszej do zauważenia dla konsumentów: rozdzielczości.

Cechą charakterystyczną nowych tranzystorów IGZO jest to, że są znacznie mniejsze od powszechnie wykorzystywanych w płaskich ekranach konwencjonalnych tranzystorów z amorficznego krzemu (a-Si TFT).

Pozwala to osiągnąć przy tych samych rozmiarach ekranu znacznie większą gęstość upakowania elementów sterujących poszczególnymi pikselami, co z kolei przekłada się na wyższą rozdzielczość. Na poprzedniej stronie zamieściliśmy zdjęcie przedstawiające prototypowy ekran o rozdzielczości Ultra HD (3840 × 2160 pikseli) i przekątnej o długości zaledwie 13,5 cala. Daje to gęstość rzędu 326 ppi. Według producenta to absolutnie nie jest szczyt możliwości tej techniki. Obecny proces produkcyjny pozwala konstruować ekrany o gęstości dochodzącej do 500 ppi.

Przykładem może być widoczny powyżej giętki ekranik CAAC-IGZO (C-axis aligned crystal IGZO) o przekątnej 6,1 cala, charakteryzujący się gęstością 498 ppi i rozdzielczością 2560 × 1600 pikseli. Prototyp zaprezentowano podczas specjalnego pokazu prasowego w Tokio, zorganizowanego przez Sharpa oraz współpracującą z japońskim koncernem firmę badawczą Semiconductor Energy Laboratory (współtwórcę matryc IGZO TFT). Pokaz odbył się jeszcze w 2012 roku.

Ocena artykułu:
Ocen: 7
Zaloguj się, by móc oceniać
Artykuły spokrewnione
Facebook
Ostatnio komentowane