Pamięć MRAM
Działanie pamięci MRAM (ang. magnetic RAM) opiera się na efekcie tunelowania kwantowego. Taka pamięć jest bardzo pojemna, nie wymaga dostarczania energii w celu przechowania informacji i jednocześnie zapewnia krótki czas dostępu oraz możliwość adresowania dowolnie wybranej komórki. Fizycznie moduł takiej pamięci ma postać oddalonych od siebie i prostopadle ułożonych warstw elektrod, odpowiadających za wybór bitów i słów. Miejsce ich skrzyżowania jest komórką pamięci. Komórka ma budowę wielowarstwową; składają się na nią oddzielone dielektrykiem warstwy ferromagnetyczne. Pamięć tego typu charakteryzuje się doskonałym czasem zapisu i odczytu informacji, rzędu kilku nanosekund.
Magnetyczne materiały światłoczułe
Udało się opracować takie materiały magnetyczne, których namagnesowanie można zmieniać wyłącznie za pomocą światła. W USA wytworzono molekuły organiczne, które zmieniają swój kształt pod wpływem niebieskiego światła. To wywołuje zmianę właściwości magnetycznych. Odwrócenie procesu umożliwia naświetlenie molekuł światłem zielonym. Obecnie metoda ta funkcjonuje w bardzo niskich temperaturach, ale prace trwają od 2002 roku.
Pamięć magnetyczno-białkowa
Istotnym problemem wszelkich technologii magnetycznych jest duża nieregularność kształtów i wymiarów cząsteczek materiału magnetycznego. Wynaleziono sprytne rozwiązanie tego problemu. Cząsteczki ferromagnetyczne umieszcza się wewnątrz cząsteczek białka zwanego ferrytyną. Białko to, wiążące żelazo w organizmach żywych, charakteryzuje się regularnymi kształtami. Ferrytyna tworzy z 24 identycznych części sferę o średnicy 12 nm. Stosując wyszukaną technologię, usuwa się żelazo zmagazynowane wewnątrz sfery i zastępuje je granulką o średnicy 8 nm, będącą stopem platyny i kobaltu. Warstwę regularnych cząstek magnetycznych umieszcza się na powierzchni dysku i wypala białko. W rezultacie otrzymuje się matrycę równomiernie rozmieszczonych, odseparowanych i jednorodnych cząstek magnetycznych. Szacuje się, że możliwe będzie osiągnięcie gęstości rzędu 5 Tb/cm2.
- HVD - nośnik z holograficznym zapisem informacji
- Nanorurki węglowe
- Pamięć MODS i polimerowa
- Pamięć fluorescencyjna, dwufotonowa, DNA
- Pamięć ferroelektryczna, molekularna, jednoelektronowa
- Pamięć MRAM, magnetyczne materiały światłoczułe
- Pamięć termomechaniczna, FIB, jednoatomowa
- Pamięć w komputerach kwantowych
- PMC i memristor
- Zakończenie
