Nawiązana współpraca pomiędzy Toshibą a SanDiskiem zaczyna przynosić wymierne rezultaty. Toshiba ogłosiła właśnie rozpoczęcie dostaw próbek nowych układów pamięci NAND Flash, produkowanych już w wymiarze technologicznym 32 nm.

Obecnie firma oferuje układ 32 Gb, ale w planach ma też rozszerzenie oferty o układy 16 Gb. Ma to się stać w lipcu bieżącego roku. Przejście na nowy wymiar technologiczny to przede wszystkim zwiększenie liczby produkowanych układów scalonych, ale także możliwość opracowywania produktów o większych pojemnościach.

Masową produkcję 32-nanometrowych kości NAND Flash (32 Gb) Toshiba chce uruchomić w lipcu, a więc dwa miesiące wcześniej, niż do tej pory planowano. Układy 16 Gb maja pojawić się w czwartym kwartale bieżącego roku.

więcej »

SanDisk poinformował o rozpoczęciu masowej produkcji układów pamięci NAND flash typu MLC (Multi Level Cell) w technologii 43 nm. Wdrażane rozwiązania to owoc współpracy amerykańskiej firmy z Japończykami z Toshiby. Przejście na nową technologię umożliwia dwukrotne zwiększenie gęstości upakowania układów w porównaniu do technologii 56 nm w chipach 16-gigabitowych. Nowocześniejszy proces technologiczny oznacza zmniejszone koszty produkcji układów pamięci.

Firma zapowiada, że pierwszymi chipami, które będą wprowadzone na rynek w drugim kwartale roku będą modele o pojemności 16 Gb, a w drugiej połowie roku dołączą do nich chipy 32-gigabitowe.

SanDisk przechodzi na procesy produkcyjne w wymiarze 43 nm w japońskich zakładach Toshiba Yokkaichi. Pamięci flash w technologii 43 nm będą początkowo wytwarzane

w nowych, otwartych niedawno przez obie firmy zakładach Fab 4, przystosowanych do pracy z waflami 300-milimetrowymi, a zgodnie z planami, w drugiej połowie roku także zakłady Fab 3 skorzystają z nowego procesu produkcyjnego.

więcej »