Nieoficjalne źródła zbliżone do producentów płyt głównych oraz notebooków twierdzą, że opóźnienie wprowadzenia na rynek procesorów Intel "Ivy Bridge" to skutek słabego uzysku z ich produkcji.

więcej »

Architektura ARM coraz agresywniej szturmuje rynek urządzeń ultraprzenośnych. Tymczasem Paul Otelini, szef Intela, uchylił rąbka tajemnicy i zdradził, że w ciągu najbliższych 36 miesięcy zaprezentowane zostaną trzy nowe rodziny procesorów Atom, wyprodukowane w trzech różnych wymiarach technologicznych.

więcej »

Firma Intel ogłosiła dziś, jak twierdzi, znaczący przełom w ewolucji tranzystora. Po raz pierwszy tranzystory korzystające z trójwymiarowej struktury będa podstawowym budulcem produktów wprowadzonych do masowej produkcji. Nowe tranzystory 3-D Tri-Gate, o których świat usłyszał po raz pierwszy w 2002 roku, będą podstawą do produkcji w 22 nanometrowym procesie produkcyjnym procesorów o nazwie kodowej "Ivy Bridge". więcej »

Firma Intel poinformowała o tym, że zainwestuje 6 do 8 miliardów dolarów w technologie produkcyjne nowej generacji w swoich obiektach w Stanach Zjednoczonych. Inwestycja ta sfinansuje wdrożenie nowego, 22-nanometrowego procesu produkcyjnego w kilku już istniejących amerykańskich fabrykach Intela, jak również budowę nowej fabryki (popularnie zwanej „fab”) w Oregonie. więcej »

W trakcie Intel Developer Forum szef Intela, Paul Otellini, zaprezentował wafel krzemowy z pierwszymi na świecie działającymi układami scalonymi, produkowanymi w wymiarze technologicznym 22 nm.

Nowe układy mają zapoczątkować trzecią generację technologii tranzystorowej z metalową bramką oraz izolatorem o wysokiej stałej dielektrycznej (high-k). Intel ma na swoim koncie 22-nanometrowe układy logiczne oraz pamięci SRAM.

Pamięci SRAM używa się jako obwodów testowych, aby zademonstrować działanie technologii, wydajność procesu oraz niezawodność układów scalonych, przed przystąpieniem do projektowania procesorów i innych układów logicznych, które będą wykorzystywały dany proces produkcyjny.

Komórki SRAM o powierzchni 0,108 i 0,092 mikrona kwadratowego tworzą macierz złożoną z 346 milionów bitów. Komórki o powierzchni 0,108 mikrona kwadratowego są zoptymalizowane pod kątem pracy niskonapięciowej. Komórki o powierzchni 0,092 mikrona kwadratowego są zoptymalizowane pod kątem wysokiej gęstości.

Są to najmniejsze dotychczas zgłoszone komórki SRAM w działających obwodach. Układ testowy zawiera 2,9 miliarda tranzystorów o gęstości około dwukrotnie większej niż w poprzedniej generacji 32 nm na powierzchni rozmiaru paznokcia.

Obwody 22 nm są kształtowane z wykorzystaniem narzędzia do kontroli ekspozycji za pomocą światła o długości fali 193 nm.

W przyszłym roku firma Intel chce wprowadzić na rynek pierwsze mikroprocesory x86, produkowane w wymiarze technologicznym 32 nm.

więcej »