Nowe układy mają zapoczątkować trzecią generację technologii tranzystorowej z metalową bramką oraz izolatorem o wysokiej stałej dielektrycznej (high-k). Intel ma na swoim koncie 22-nanometrowe układy logiczne oraz pamięci SRAM.
Pamięci SRAM używa się jako obwodów testowych, aby zademonstrować działanie technologii, wydajność procesu oraz niezawodność układów scalonych, przed przystąpieniem do projektowania procesorów i innych układów logicznych, które będą wykorzystywały dany proces produkcyjny.
Komórki SRAM o powierzchni 0,108 i 0,092 mikrona kwadratowego tworzą macierz złożoną z 346 milionów bitów. Komórki o powierzchni 0,108 mikrona kwadratowego są zoptymalizowane pod kątem pracy niskonapięciowej. Komórki o powierzchni 0,092 mikrona kwadratowego są zoptymalizowane pod kątem wysokiej gęstości.
Są to najmniejsze dotychczas zgłoszone komórki SRAM w działających obwodach. Układ testowy zawiera 2,9 miliarda tranzystorów o gęstości około dwukrotnie większej niż w poprzedniej generacji 32 nm na powierzchni rozmiaru paznokcia.
Obwody 22 nm są kształtowane z wykorzystaniem narzędzia do kontroli ekspozycji za pomocą światła o długości fali 193 nm.
W przyszłym roku firma Intel chce wprowadzić na rynek pierwsze mikroprocesory x86, produkowane w wymiarze technologicznym 32 nm.
więcej »
