Firma Intel planuje wprowadzenie na rynek nowej generacji procesorów, "Ivy Bridge" 8 do 10 tygodni później niż pierwotnie planowano. Oznaczałoby to, że obecnie nowych układów powinniśmy spodziewać się w czerwcu. Podobna informacja, w niepotwierdzonej formie pojawiła się około tydzień temu. Wtedy jednak mówiło się o opóźnieniu dostaw masowych.

Chociaż póki co światła dziennego nie ujrzała jeszcze pierwsza generacja procesorów Intela wykorzystujących 22-nanometrowy proces technologiczny, już pojawiły się pierwsze informacje o kolejnej fali, opartej na całkiem nowej architekturze Haswell.

Serwis Fudzilla dowiedział się, nieoficjalnie, od firmy Intel, że ta planuje wprowadzenie na rynek dwóch następców procesorów Atom "Medfield". Miałyby one pojawić się już niebawem.

Nieoficjalne źródła zbliżone do producentów płyt głównych oraz notebooków twierdzą, że opóźnienie wprowadzenia na rynek procesorów Intel "Ivy Bridge" to skutek słabego uzysku z ich produkcji.

Architektura ARM coraz agresywniej szturmuje rynek urządzeń ultraprzenośnych. Tymczasem Paul Otelini, szef Intela, uchylił rąbka tajemnicy i zdradził, że w ciągu najbliższych 36 miesięcy zaprezentowane zostaną trzy nowe rodziny procesorów Atom, wyprodukowane w trzech różnych wymiarach technologicznych.

Z Chin płyną optymistyczne wieści dotyczące nowych procesorów obu głównych producentów. W przypadku Intela mowa o sukcesorze układów Sandy Bridge, które mają zostać po raz pierwszy publicznie zaprezentowane na targach Computex w stolicy Tajwanu, Taipei. Zajmujące pozycje po drugiej stronie barykady AMD uprzedzi konkurencję i wykona swój ruch miesiąc wcześniej.

Koniec z dodatkowymi kontrolerami, przynajmniej na jakiś czas. Późno bo późno, ale w końcu – Intel przekonał się do wciąż mało popularnej trzeciej wersji uniwersalnej magistrali szeregowej i ma zamiar zaimplementować jej obsługę w platformie procesorowej kolejnej generacji. Tym samym rok 2012 będzie miał szansę stać się rokiem ostatecznej popularyzacji USB 3.0.

Nowe układy mają zapoczątkować trzecią generację technologii tranzystorowej z metalową bramką oraz izolatorem o wysokiej stałej dielektrycznej (high-k). Intel ma na swoim koncie 22-nanometrowe układy logiczne oraz pamięci SRAM.

Pamięci SRAM używa się jako obwodów testowych, aby zademonstrować działanie technologii, wydajność procesu oraz niezawodność układów scalonych, przed przystąpieniem do projektowania procesorów i innych układów logicznych, które będą wykorzystywały dany proces produkcyjny.

Komórki SRAM o powierzchni 0,108 i 0,092 mikrona kwadratowego tworzą macierz złożoną z 346 milionów bitów. Komórki o powierzchni 0,108 mikrona kwadratowego są zoptymalizowane pod kątem pracy niskonapięciowej. Komórki o powierzchni 0,092 mikrona kwadratowego są zoptymalizowane pod kątem wysokiej gęstości.

Są to najmniejsze dotychczas zgłoszone komórki SRAM w działających obwodach. Układ testowy zawiera 2,9 miliarda tranzystorów o gęstości około dwukrotnie większej niż w poprzedniej generacji 32 nm na powierzchni rozmiaru paznokcia.

Obwody 22 nm są kształtowane z wykorzystaniem narzędzia do kontroli ekspozycji za pomocą światła o długości fali 193 nm.

W przyszłym roku firma Intel chce wprowadzić na rynek pierwsze mikroprocesory x86, produkowane w wymiarze technologicznym 32 nm.