Toshiba zaprezentowała linię nowych, wykonanych w 24-nanometrowym procesie technologicznym pamięci NAND typu MLC - SmartNAND. Według producenta, nowe pamięci zapewniają 1,9-krotnie szybszy odczyt danych, oraz 1,5-krotnie szybszy zapis, niż poprzednia, 32-nanometrowa generacja. więcej »

Firma Toshiba oficjalnie zapowiedziała uruchomienie sprzedaży nowych kart pamięci SDHC UHS-I o pojemności 8, 16 oraz 32 GB. Według producenta są to najszybsze produkty tego typu na świecie. więcej »

Toshiba zapowiedziała wprowadzenie do sprzedaży pierwszej na świecie karty pamięci SDXC 64 GB, kompatybilnej ze standardem SD Memory Card Standard Ver. 3.00.

Ponadto producent zaprezentował dwie nowe karty SDHC o pojemności 16 GB i 32 GB. Zarówno one, jak i SDXC są pierwszymi na rynku kartami zgodnymi ze standardem SD Memory Card Standard Ver. 3.00, UHS104, który podnosi prędkość zapisu/odczytu na nowy poziom.

Maksymalna szybkość zapisywania danych wynosi 35 MB/s, natomiast odczyt dokonuje się z prędkością 60 MB/s. Karty o takich specyfikacjach będą idealnym prezentem dla fotografów i miłośników filmowania.

Nowe karty w sprzedaży znajdą się wiosną przyszłego roku. Ceny nie są jeszcze znane.

więcej »

Nawiązana współpraca pomiędzy Toshibą a SanDiskiem zaczyna przynosić wymierne rezultaty. Toshiba ogłosiła właśnie rozpoczęcie dostaw próbek nowych układów pamięci NAND Flash, produkowanych już w wymiarze technologicznym 32 nm.

Obecnie firma oferuje układ 32 Gb, ale w planach ma też rozszerzenie oferty o układy 16 Gb. Ma to się stać w lipcu bieżącego roku. Przejście na nowy wymiar technologiczny to przede wszystkim zwiększenie liczby produkowanych układów scalonych, ale także możliwość opracowywania produktów o większych pojemnościach.

Masową produkcję 32-nanometrowych kości NAND Flash (32 Gb) Toshiba chce uruchomić w lipcu, a więc dwa miesiące wcześniej, niż do tej pory planowano. Układy 16 Gb maja pojawić się w czwartym kwartale bieżącego roku.

więcej »

SanDisk poinformował o rozpoczęciu masowej produkcji układów pamięci NAND flash typu MLC (Multi Level Cell) w technologii 43 nm. Wdrażane rozwiązania to owoc współpracy amerykańskiej firmy z Japończykami z Toshiby. Przejście na nową technologię umożliwia dwukrotne zwiększenie gęstości upakowania układów w porównaniu do technologii 56 nm w chipach 16-gigabitowych. Nowocześniejszy proces technologiczny oznacza zmniejszone koszty produkcji układów pamięci.

Firma zapowiada, że pierwszymi chipami, które będą wprowadzone na rynek w drugim kwartale roku będą modele o pojemności 16 Gb, a w drugiej połowie roku dołączą do nich chipy 32-gigabitowe.

SanDisk przechodzi na procesy produkcyjne w wymiarze 43 nm w japońskich zakładach Toshiba Yokkaichi. Pamięci flash w technologii 43 nm będą początkowo wytwarzane

w nowych, otwartych niedawno przez obie firmy zakładach Fab 4, przystosowanych do pracy z waflami 300-milimetrowymi, a zgodnie z planami, w drugiej połowie roku także zakłady Fab 3 skorzystają z nowego procesu produkcyjnego.

więcej »

Trzeci kwartał roku okazał się dla rynku pamięci NAND flash bardzo dobry. Wzrost podsycany zakupami elektroniki konsumenckiej wyniósł ponad 37 proc. Jednak rosnący rynek nie jednocześnie oznaczał umacniania się pozycji lidera. Samsung, południowokoreańska firma przewodząca stawce, mimo rozkwitającego rynku, stracił w trzecim kwartale 5 proc. ze swoich udziałów w tym biznesie. Nowe badania analityków firmy iSuppli pokazały, że udział firmy w rynku flash to obecnie nie 45 proc., ale 40 proc.

Druga pozycja przypadła japońskiej Toshibie z 27 proc. kontrolowanego rynku, a trzecia firmie Hynix. Ostatnia na podium, wykazała się jednocześnie największym wzrostem, 79 proc. w porównaniu do poprzedniego kwartału oraz sprzedażą sięgającą 806 mln dolarów.

W sumie, pierwsza trójka rynku NAND flash odpowiadała za kontrolowanie około 87 proc. tego biznesu. Jak jednak zauważą serwis vnunet.com, także mniejsi gracze odnotowywali sukcesy. Sprzedaż firmy Micron podskoczyła o 75,5 proc., a Intela o 47,9 proc. (sprzedaż sięgnęła odpowiednio 285,4 mln i 132 mln dolarów).

więcej »