Firma LaCie wprowadziła na rynek nowy model pamięci przenośnej, która tak naprawdę jest malutkim dyskiem SSD, wykorzystującym układy typu NAND Flash. Wyposażono ją w interfejs USB 3.0 i zamknięto w aluminiowej obudowie. więcej »

Serwis Anandtech dotarł do informacji związanych z trzecią generacją dysków SSD Intela, nad którą firma pracuje już od jakiegoś czasu. Nowe dyski mają wykorzystywać układy NAND flash typu MLC (Multi-Level Cell), produkowane w wymiarze technologicznym 25 nanometrów. więcej »

Firma SanDisk poinformowała dziś o tym, że opracowała nowy, wyjątkowo malutki dysk SSD, w formacie iSSD (integrated Solid State Drive). Całe urządzenie ma wymiary zaledwie 16 x 20 x 1,85 milimetra i waży niecały 1 gram. więcej »

Hynix, południowokoreański producent układów pamięci, rozpoczyna masową produkcję 64-gigabitowych kości NAND Flash, wytwarzanych w wymiarze technologicznym 20 nanometrów. więcej »

Firmy Intel Corporation i Micron Technology zapowiedziały dziś pierwszą na świecie 25-nanometrową technologię NAND, która ma umożliwić ekonomiczne zwiększenie pojemności pamięci w popularnych urządzeniach konsumenckich, takich jak smartfony, przenośne odtwarzacze muzyki i wideo oraz nowa klasa wydajnych dysków SSD. więcej »

Zgodnie z najnowszym rozkładem jazdy dysków SSD firmy Intel, produkcja nowych serii, w oparciu o produkowane w wymiarze technologicznym 28 nm układy MLC (Multi-Level Cell), ma ruszyć w czwartym kwartale przyszłego roku.

Obecnie dostępne serie X25-M (34 nm, MLC) oraz X18M (50 nm, MLC) będą powoli wycofywane z oferty, w trzecim kwartale. W następnym powinniśmy spodziewać się produktów "Postville Refresh" (28 nm, MLC), o pojemności 160, 300 oraz 600 GB. W tym samym czasie pojawić się mają dyski "Lyndonville" o pojemności 100, 200 oraz 400 GB (34 nm, MLC).

Także niskobudżetowa seria dysków X25-V ma zostać odświeżona nowymi modelami, korzystającymi z układów NAND flash nowego typu. Te pojawią się pod koniec przyszłego roku. Obecnie planowana jest jedna pojemność, czyli 80 GB.

więcej »

Firma Corsair powiększyła swoją ofertę dysków SSD o kolejne dwa modele: P64 i P128. Nowe dyski w formacie 2,5"  wyposażono w interfejs Serial ATA 3 Gb/s, kontrolery firmy Samsung, bufory danych o pojemności 128 MB oraz układy NAND Flash wykonane w technologii MLC (Multi-Level Cell).

P128 o pojemności 128 GB ma zapewniać transfery danych z prędkościami: 220 MB/s przy odczycie i 200 MB/s przy zapisie. Model ten można nabyć za niewiele ponad 291 euro.

Model P64 o pojemności 64 GB odczytuje dane z prędkością 220 MB/s, a w przypadku zapisu wynosi ona 120 MB/s. P64 w sklepach pojawić się ma w lipcu.

Oba modele objęte są dwuletnią gwarancją producenta.

więcej »

Firma Samsung zaczęła dostarczać producentom netbooków pierwsze próbki testowe nowych dysków SSD w postaci miniaturowych kart. Nowa seria produktów oparta jest na produkowanych w wymiarze technologicznym 40 nm układach NAND Flash MLC (Multi-Level Cell). Grubość takiej karty to zaledwie 3,75 mm.

Ważąca 8,5 grama karta wyposażona jest w interfejs Serial ATA 3 Gb/s, a jej rozmiary to niewiele ponad 20% wielkości typowego dysku w formacie 2,5 cala.

Nowe rozwiązanie ma zapewniać prędkość odczytu na poziomie do 200 MB/s, a zapisu do 100 MB/s. W trakcie pracy ma pobierać zaledwie 0,3 W. Deklarowany czas bezawaryjnej (ciągłej) pracy wynosi milion godzin.

Samsung na razie dysponuje kartami o pojemnościach: 16, 32 i 64 GB. Ceny nie są jeszcze znane.

więcej »

Tak przynajmniej obiecuje JMicron. Firma ta pracuje nad nowym modelem kontrolera dla dysków typu SSD, JMF612, z rdzeniem ARM9 w obudowie typu TFBGA.

Nowy układ ma mieć 32 kB pamięci ROM oraz 128 kB typu RAM. Kontroler będzie obsługiwać zewnętrzne bufory danych o pojemnościach do 256 MB, w postaci układów DDR lub DDR2.

Kontroler ma być przystosowany do pamięci NAND produkowanych w wymiarach technologicznym 32 i 34 nm i zapewniać obsługę technologii NCQ (Native Command Queuing), szyfrowania danych AES (128 bit) oraz interfejsów Serial ATA 3 Gb/s i USB 2.0.

Próbki inzynieryjne nowego układ firma JMicron zaprezentuje na targach Computex 2009. Masowa produkcja ma ruszyć w lipcu bieżącego roku.

Nowy kontroler może sprawić, że ceny dysków SSD spadną nawet o aż 50%, ale nie stanie się tak wcześniej niż pod koniec roku.

więcej »

Silicon Power dzisiaj rozpoczyna produkcję nowej serii o nazwie SSD M10. M10 ma podwójny interfejs, USB i SATA 3 Gb/s, co pozwala zainstalować dyski wewnątrz lub używać je jako zewnętrze. Silicon Power SSD M10 ma wymiary standardowego 2,5 calowegu dysku twardego. Stylistyczny wzór dysku spełnia wymogi użytkowników którzy chcą używać dysku SSD jako dysku przenośnego.

Ponadto M10 zawiera także kod korekcji błędów (ECC) i Wear Leveling. ECC zapewnia dokładność i rzetelność danych, natomiast pamięci Wear Leveling zwiększają żywotność modułów.

Objęte dwuletnią gwarancją producenta dyski Silicon Power M10 2,5 cala SATA II SSD będą dostępne w pojemnościach od 32 GB do 256 GB.

więcej »

Urządzenie dostępne będzie w wersjach o pojemnościach 128, 256, 512 GB oraz 1 TB. Dyski będzie można zainstalować w slotach PCI Express x8.

G-Monster-Promise PCI-Express SSD oparto na technologii MLC (Multi-Level Cell) NAND i wyposazono w 256 MB pamięci ECC DDR2 i 256 MB pamięci SDRAM.

Najważniejszą cechą nowego dysku są transfery danych, które mają osiągać do 1 GB/s (odczyt i zapis)! Deklarowany czas bezawaryjnej pracy wynosi 2,5 miliona godzin.

Co ciekawe urządzenie objęte będzie roczną gwarancją - przy takiej deklaracji pracy bezawaryjnej wygląda ona dość... skromnie ;-).

Ceny mają wynieść: 1204 euro za model 128 GB, 1492 euro za 256 GB, 2247 euro za 512 GB, i 3380 euro za 1 TB. W pierwszej kolejności nowe dyski będą mogli nabyć Japończycy. Tanio, nic tylko brać!

więcej »

Firma Corsair wprowadziła na rynek nowe modele pamięci przenośnych typu pendrive. Wśród nich są: nowa wersja modelu Voyager GT i Voyager Mini, oba o pojemności 16 GB.

Nowa wersja modelu Voyager GT zamknięta jest w gumowej obudowie, odpornej na wstrząsy i wodę. Ponadto urządzenie ma interfejs USB 2.0 i wykorzystuje technologię MLC (Multi-Level Cell) NAND Flash, w konfiguracji dwukanałowej. Ma mu to zapewniać lepsze transfery danych.

Voyager Mini 16 GB korzysta z technologii Chip-on-Board i ma interfejs USB 2.0. Ważące zaledwie 5,4 grama urządzenie zamknięto w gumowej obudowie.

Oba nowe produkty objęte są 10-letnią gwarancją producenta. Model Voyager GT 16 GB można nabyć za 32,81 euro, a wersję Mini 16 GB za 32,90 euro (ceny sugerowane).

więcej »

Nawiązana współpraca pomiędzy Toshibą a SanDiskiem zaczyna przynosić wymierne rezultaty. Toshiba ogłosiła właśnie rozpoczęcie dostaw próbek nowych układów pamięci NAND Flash, produkowanych już w wymiarze technologicznym 32 nm.

Obecnie firma oferuje układ 32 Gb, ale w planach ma też rozszerzenie oferty o układy 16 Gb. Ma to się stać w lipcu bieżącego roku. Przejście na nowy wymiar technologiczny to przede wszystkim zwiększenie liczby produkowanych układów scalonych, ale także możliwość opracowywania produktów o większych pojemnościach.

Masową produkcję 32-nanometrowych kości NAND Flash (32 Gb) Toshiba chce uruchomić w lipcu, a więc dwa miesiące wcześniej, niż do tej pory planowano. Układy 16 Gb maja pojawić się w czwartym kwartale bieżącego roku.

więcej »

SanDisk poinformował o rozpoczęciu masowej produkcji układów pamięci NAND flash typu MLC (Multi Level Cell) w technologii 43 nm. Wdrażane rozwiązania to owoc współpracy amerykańskiej firmy z Japończykami z Toshiby. Przejście na nową technologię umożliwia dwukrotne zwiększenie gęstości upakowania układów w porównaniu do technologii 56 nm w chipach 16-gigabitowych. Nowocześniejszy proces technologiczny oznacza zmniejszone koszty produkcji układów pamięci.

Firma zapowiada, że pierwszymi chipami, które będą wprowadzone na rynek w drugim kwartale roku będą modele o pojemności 16 Gb, a w drugiej połowie roku dołączą do nich chipy 32-gigabitowe.

SanDisk przechodzi na procesy produkcyjne w wymiarze 43 nm w japońskich zakładach Toshiba Yokkaichi. Pamięci flash w technologii 43 nm będą początkowo wytwarzane

w nowych, otwartych niedawno przez obie firmy zakładach Fab 4, przystosowanych do pracy z waflami 300-milimetrowymi, a zgodnie z planami, w drugiej połowie roku także zakłady Fab 3 skorzystają z nowego procesu produkcyjnego.

więcej »

Trzeci kwartał roku okazał się dla rynku pamięci NAND flash bardzo dobry. Wzrost podsycany zakupami elektroniki konsumenckiej wyniósł ponad 37 proc. Jednak rosnący rynek nie jednocześnie oznaczał umacniania się pozycji lidera. Samsung, południowokoreańska firma przewodząca stawce, mimo rozkwitającego rynku, stracił w trzecim kwartale 5 proc. ze swoich udziałów w tym biznesie. Nowe badania analityków firmy iSuppli pokazały, że udział firmy w rynku flash to obecnie nie 45 proc., ale 40 proc.

Druga pozycja przypadła japońskiej Toshibie z 27 proc. kontrolowanego rynku, a trzecia firmie Hynix. Ostatnia na podium, wykazała się jednocześnie największym wzrostem, 79 proc. w porównaniu do poprzedniego kwartału oraz sprzedażą sięgającą 806 mln dolarów.

W sumie, pierwsza trójka rynku NAND flash odpowiadała za kontrolowanie około 87 proc. tego biznesu. Jak jednak zauważą serwis vnunet.com, także mniejsi gracze odnotowywali sukcesy. Sprzedaż firmy Micron podskoczyła o 75,5 proc., a Intela o 47,9 proc. (sprzedaż sięgnęła odpowiednio 285,4 mln i 132 mln dolarów).

więcej »