Aktywność firmy Elpida w ostatnich dniach była nadzwyczaj wysoka. Podpisano bowiem dwie ważne umowy z ProMOS Technology oraz z Winbond Electronics.

Współpraca pomiędzy Elpidą a nowymi partnerami na przede wszystkim umożliwić jej nawiązanie silniejszej rywalizacji z konkurentami, na rynku układów pamięci typu DRAM.

Na mocy umów Elpida przekaże nowym partnerom licencje na technologie związane z układami DRAM, ci w zamian przeznaczą część swoich mocy produkcyjnych na produkcję, dla niej na wyłączność. Obaj nowi partnerzy Elipdy, Winbond i ProMOS, mają swoje fabryki w mieście Taichung, na Tajwanie.

Winbond ma dla Elpidy produkować kości GDDR3 oraz GDDR5, z których korzystają karty graficzne od AMD i od NVIDII. ProMOS natomiast ma produkować układy typu DDR3, stosowane głównie do produkcji modułów pamięci RAM.

W obu przypadkach produkcja ma ruszyć pod koniec bieżącego roku. Elpida pierwsze żniwa zbierze w pierwszej połowie przyszłego roku.

więcej »

Japońska Elpida Memory, jeden z producentów układów pamięci DRAM (Dynamic Random Access Memory), ogłosiła zakończenie prac nad najmniejszą na świecie, wysokowydajną i energooszczędną kością DDR3 SDRAM o pojemności 2 Gb.

Nowy 2-gigabitowy układ wyprodukowano w wymiarze technologicznym 40 nm osiągając o 44% większy uzysk z każdego wafla krzemowego, w porównaniu do kości DDR3 produkowanych w wymiarze 50 nm. W przypadku układów pracujących z prędkością 1,6 Gb/s, uzysk z każdego wafla wynosi 100% (brak egzemplarzy niesprawnych).

W porównaniu do 50-nanometrowych kości pamięci, nowe rozwiązanie wymaga natężęnia prądu o 2/3 mniejszego, pracuje z napięciami 1,2 i 1,35 V, podobnie jak ze standardowym dla DDR3 1,5 V, zmniejszając jednocześnie pobór energii o maksymalnie 45%.

Elpida pierwsze dostawy nowych układów zacznie dostarczać w listopadzie. Start produkcji masowej zaplanowano na grudzień.

więcej »

więcej »

Trzy dni temu informowaliśmy o zaprzestaniu sprzedaży niektórych modułów pamięci RAM przez firmę Corsair. To nie jedyny producent, który najwyraźniej chce uniknąć problemów mających wynikać z wad w produkowanych przez firmę Elpida układów DDR3 serii Hyper.

Firma OCZ także podjęła decyzję o wstrzymaniu dostaw modułów pamięci RAM typu DDR3 serii Blade, do produkcji których wykorzystywano felerne kości.

Z oświadczenia firmy OCZ wynika, że nie zarejestrowano wzrostu reklamacji potencjalnie wadliwych modułów, ale i tak zdecydowano o podjęciu działania prewencyjnego. Wstrzymano także produkcję modułów z układami Hyper, które zastępowane są innymi.

Podobnie jak w przypadku poprzednika, firma OCZ zapewnia, że ewentualne przypadki problemów z modułami wyposażonymi w układy Hyper podlegają tym samym warunkom gwarancji, co pozostałe. 

więcej »

Firma Corsair poinformowała, że wycofuje ze sprzedaży pięć modeli modułów pamięci RAM typu DDR3, do produkcji których używano układów Elpida serii Hyper.

W wyniku wielu zgłoszeń od klientów, głównie przez fora dyskusyjne firma przeprowadziła testy we własnych laboratoriach. Według producenta mała część układów może być wadliwa, choć nawet niewielka skala problemu jest nie do zaakceptowania.

Dlatego też do czasu wyeliminowania problemu wymienione poniżej modele nie będą sprzedawane przez firmę Corsair:

• TW3X4G1600C6GTF (1600 MHz, 6-6-6-18)
• TR3X6G1866C7GTF (1866 MHz, 7-8-7-20)
• TR3X6G2000C8GTF (2000 MHz, 8-8-8-24)
• TR3X3G2000C7GTF (2000 MHz, 7-8-7-20)
• TR3X6G2000C7GTF (2000 MHz, 7-8-7-20)

Corsair zapewnia, że każdy nabywca wadliwego egzemplarza może skorzystać ze standardowych warunków gwarancji, w celu wymiany produktu.

Te same (potencjalnie wadliwe) układy Elpida Hyper wykorzystują także inni producenci, ale do tej pory nie wiadomo o ewentualnych reakcjach na problem.

więcej »

Producenci układów DRAM co prawda szybko uzyskali akceptację JEDEC, umożliwiającą im produkowanie układów typu DDR3, ale jak dotąd większość modułów taktowanych zegarami powyżej 1600 MHz musi być zasilana napięciem powyżej standardowego 1,5 V.

Wykorzystując wymiar technologiczny 65 nm firma Elpida już we wrześniu rozpocznie masową produkcję układów DDR3, taktowanych zegarem 2 GHz (efektywnie), których zasilanie mieści się w ustalonym standardzie - 1,5 V.

Układy 1 Gb DRAM mają oznaczenie kodowe EDJ1104BBSE i mogą pracować też z zegarem taktującym na poziomie 1600 MHz, przy zasilaniu wynoszącym 1,35 V.

więcej »