Wygląda na to, że jeśli chodzi o pamięć RAM w komputerach stacjonarnych i przenośnych, nic ciekawego nie wydarzy się przynajmniej do pierwszej połowy 2014 roku. Obecnie Intel planuje trzymać się modułów typu DDR3 oraz ich energooszczędnej odmiany DDR3L.

więcej »

Południowokoreańska firma Hynix Semiconductor poinformowała o tym, że udało jej się wyprodukować dwugigabitowe układy pamięci RAM typu DDR4, a także moduły ECC-SODIMM (Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Module), pracujące z efektywną częstotliwością 2400 MHz. więcej »

Niemiecka firma Exceleram poinformowała o rychłym powiększeniu swojej oferty o nowej serii, EP, modułów pamięci RAM typu DDR3. Na początek w jej skład wejdą trzy produkty: moduł o pojemności 2 GB, 4-gigabajtowy zestaw Dual-Channel oraz 6-gigabajtowy zestaw Triple-Channel. więcej »

Firma Transcend wprowadza na rynek trzy nowe moduły pamięci DDR3 o pojemności 4 GB, w których wykorzystano produkowane w wymiarze technologicznym 40 nanometrów układy o wysokiej gęstości zapisu danych - 2 Gb. Nowe produkty to DDR3 1333 MHz Long-DIMM, DDR3 1333 MHz SO-DIMM oraz DDR3 1066 MHz SO-DIMM. więcej »

Analitycy firmy DRAMeXchange przewidują, że w drugiej połowie przyszłego roku może nas czekać wystąpienie poważny braków układów pamięci DRAM. Ma to być skutek wzrostu sprzedaży komputerów stacjonarnych oraz przenośnych, w okresie gdy gospodarki wielu krajów mają powoli zacząć stawać na nogi, po obecnym jeszcze kryzysie.

Do tego czasu dostawcy nadal będą z ostrożności opróżniać swoje magazyny, w obawie przed pozostaniem z nimi na lodzie. Producenci komputerów natomiast mają kupować znacznie więcej modułów, w celu zabezpieczenia się przed spodziewanym wzrostem sprzedaży.

więcej »

Firma Elpida Memory poinformowała o uruchomieniu masowej produkcji nowej generacji układów pamięci RAM typu DDR3. Fabryka w Hiroszimie zakończyła testy linii produkcyjnych, z których schodzą już pierwsze, 2-gigabitowe kości DDR3, produkowane w wymiarze technologicznym 40 nm.

Według producenta przejście z wymiaru 50 nm pozwala uzyskać z jednego wafla o 44% więcej kości DRAM. Elpida Memory zapewnia, że z linii produkcyjnych schodzą wafle krzemowe, z których 100% układów jest sprawna, a więc nie ma żadnych strat dla układów pracujących z czestotliwością 1,6 Gbps (1600 MHz).

więcej »

Proces przechodzenia z pamięci DRAM typu DDR2 na DDR3, w drugim kwartale przyszłego roku ma osiągnąć punkt przełomowy. Według firmy iSupply dostawy DDR3 prześcigną wtedy poprzedniczki.

O ile w drugim kwartale ilość sprzedanych układów DDR3 ma osiągnąć 50% całego rynku, o tyle pod koniec przyszłego roku ma dojść nawet do 71%. Według jednego z analityków iSupply, pamięć typu DDR3 zapewnia o połowę większą wydajność niż DDR2, przy o 30% niższym poborze energii. To czyni ją bardziej ergonomicznym rozwiązaniem, przede wszystkim dla komputerów przenośnych, gdzie żywotność akumulatora ma bardzo duże znaczenie.

Zarówno Intel jak i AMD obecnie mają w swojej ofercie biurkowe platformy procesorowe z DDR3, powoli wycofując produkty korzystające ze starszego typu. Intel już przeniósł się z pamięciami DDR3 na platformy serwerowe oraz komputerów przenośnych. AMD podobne ruchy planuje wykonać w przyszłym roku.

DDR2 pozostanie z nami jeszcze trochę i wciąż będzie odgrywać ważną rolę na rynku układów pamięci DRAM. Gigabitowe kości DDR2 pod koniec przyszłego roku mają wciąż stanowić 15,4% wszystkich dostaw.

więcej »

Japońska Elpida Memory, jeden z producentów układów pamięci DRAM (Dynamic Random Access Memory), ogłosiła zakończenie prac nad najmniejszą na świecie, wysokowydajną i energooszczędną kością DDR3 SDRAM o pojemności 2 Gb.

Nowy 2-gigabitowy układ wyprodukowano w wymiarze technologicznym 40 nm osiągając o 44% większy uzysk z każdego wafla krzemowego, w porównaniu do kości DDR3 produkowanych w wymiarze 50 nm. W przypadku układów pracujących z prędkością 1,6 Gb/s, uzysk z każdego wafla wynosi 100% (brak egzemplarzy niesprawnych).

W porównaniu do 50-nanometrowych kości pamięci, nowe rozwiązanie wymaga natężęnia prądu o 2/3 mniejszego, pracuje z napięciami 1,2 i 1,35 V, podobnie jak ze standardowym dla DDR3 1,5 V, zmniejszając jednocześnie pobór energii o maksymalnie 45%.

Elpida pierwsze dostawy nowych układów zacznie dostarczać w listopadzie. Start produkcji masowej zaplanowano na grudzień.

więcej »

Trzy dni temu informowaliśmy o zaprzestaniu sprzedaży niektórych modułów pamięci RAM przez firmę Corsair. To nie jedyny producent, który najwyraźniej chce uniknąć problemów mających wynikać z wad w produkowanych przez firmę Elpida układów DDR3 serii Hyper.

Firma OCZ także podjęła decyzję o wstrzymaniu dostaw modułów pamięci RAM typu DDR3 serii Blade, do produkcji których wykorzystywano felerne kości.

Z oświadczenia firmy OCZ wynika, że nie zarejestrowano wzrostu reklamacji potencjalnie wadliwych modułów, ale i tak zdecydowano o podjęciu działania prewencyjnego. Wstrzymano także produkcję modułów z układami Hyper, które zastępowane są innymi.

Podobnie jak w przypadku poprzednika, firma OCZ zapewnia, że ewentualne przypadki problemów z modułami wyposażonymi w układy Hyper podlegają tym samym warunkom gwarancji, co pozostałe. 

więcej »

Producenci układów DRAM co prawda szybko uzyskali akceptację JEDEC, umożliwiającą im produkowanie układów typu DDR3, ale jak dotąd większość modułów taktowanych zegarami powyżej 1600 MHz musi być zasilana napięciem powyżej standardowego 1,5 V.

Wykorzystując wymiar technologiczny 65 nm firma Elpida już we wrześniu rozpocznie masową produkcję układów DDR3, taktowanych zegarem 2 GHz (efektywnie), których zasilanie mieści się w ustalonym standardzie - 1,5 V.

Układy 1 Gb DRAM mają oznaczenie kodowe EDJ1104BBSE i mogą pracować też z zegarem taktującym na poziomie 1600 MHz, przy zasilaniu wynoszącym 1,35 V.

więcej »