Nowe układy mają zapoczątkować trzecią generację technologii tranzystorowej z metalową bramką oraz izolatorem o wysokiej stałej dielektrycznej (high-k). Intel ma na swoim koncie 22-nanometrowe układy logiczne oraz pamięci SRAM.

Pamięci SRAM używa się jako obwodów testowych, aby zademonstrować działanie technologii, wydajność procesu oraz niezawodność układów scalonych, przed przystąpieniem do projektowania procesorów i innych układów logicznych, które będą wykorzystywały dany proces produkcyjny.

Komórki SRAM o powierzchni 0,108 i 0,092 mikrona kwadratowego tworzą macierz złożoną z 346 milionów bitów. Komórki o powierzchni 0,108 mikrona kwadratowego są zoptymalizowane pod kątem pracy niskonapięciowej. Komórki o powierzchni 0,092 mikrona kwadratowego są zoptymalizowane pod kątem wysokiej gęstości.

Są to najmniejsze dotychczas zgłoszone komórki SRAM w działających obwodach. Układ testowy zawiera 2,9 miliarda tranzystorów o gęstości około dwukrotnie większej niż w poprzedniej generacji 32 nm na powierzchni rozmiaru paznokcia.

Obwody 22 nm są kształtowane z wykorzystaniem narzędzia do kontroli ekspozycji za pomocą światła o długości fali 193 nm.

W przyszłym roku firma Intel chce wprowadzić na rynek pierwsze mikroprocesory x86, produkowane w wymiarze technologicznym 32 nm.

W nowych wersjach są między innymi unowocześnione kontrolery pamięci RAM typu DDR3, co pozwoli wspomnianym procesorom przeżyć dłużej.

Niewykluczone jest nawet to, że LGA775 będzie wspierania przez Intela jeszcze co najmniej przez dwa lata. W 2011 roku na rynku Intel ma mieć trzy platformy: LGA775, LGA1156 oraz LGA1366.

Platforma LGA775 firmy Intel oficjalnie na rynek weszła w czerwcu 2004 roku, a więc około pięć lat temu.

Xtreme Addict nie daje się człowiekowi wyspać (no dobra, o sobie mówię), bo wraz z redakcyjnym kolegą Mateuszem Brzostkiem, panowie urządzili sobie lodowatą orgię z biednym procesorem Intel Core i7-980X Extreme Edition (nazwa kodowa Gulftown, a uliczna Kulfon).

Zarówno Intel, jak i AMD dotychczas dość szybko przyjmowały nowinki technologiczne, w tym na przykład kolejne rozwiązania w dziedzinie pamięci RAM. Teraz jest jednak zupełnie inaczej. AMD jest dopiero przede premierą procesorów obsługujących moduły DDR3, co stawia ją dwa lata za Intelem, w kwestii implementacji rozwiązań tego standardu.

Intel zdołał już plany przekształcić w gotowe produkty. Najdroższe procesory konsumenckie Intela, Core i7, w pełni obsługują moduły pamięci RAM typu DDR3. W oczy rzuca się pewna powściągliwość Intela w przenoszeniu standardu DDR3 do niższych segmentów cenowych - do procesorów z niższych półek.

Okazuje się, że producenci pamięci DRAM są największą przeszkodą, gdyż do dziś ceny modułów DDR3 są niebotycznie wysokie. Dlatego też obaj giganci rynku CPU do pechowej "trójki" podchodzą ostrożnie, obchodząc się z nią jak z jajkiem.

Dlatego też nie należy spodziewać się, że Intel szybko wprowadzi na rynek procesory Core i5 - tańsze odmiany Core i7, z wbudowanymi kontrolerami pamięci RAM typu DDR3.

AMD natomiast wydaje się wciąż mieć problemy techniczne z uzyskaniem stabilności i poprawą kompatybilności własnych kontrolerów dla procesorów korzystających z podstawki AM3. Dlatego też nieoficjalnie mówi się, że firma ta nie będzie przechodzić na moduły DDR3, dopóki nie będzie w stanie dostarczyć poprawnie działającego oprogramowania BIOS.

Ostatecznie może okazać się, że pełna implementacja standardu DDR3 może opóźnić się do przyszłego roku.

Justin Rattner, główny dyrektor ds. technologii w firmie Intel, ogłosił podczas konferencji Intel Developer Forum, że rozwój techniki komputerowej ulega przyspieszeniu. Jako przykłady podał wpływ wielordzeniowego przetwarzania danych na masowy rynek oraz postępy w przetwarzaniu danych w ekstremalnej skali.

Nowe procesory Atom N450 1,66 GHz i N470 1,83 GHz (z kontrolerami DDR2) mają TDP ustalone na poziomie odpowiednio 5,5 i 6,5 W. Ich kolejne wersje, w których znajdą się kontrolery pamięci RAM typu DDR3 będą pobierać więcej energii, bo nie mniej niż 6,5 W (w najsłabszym modelu 1,66 GHz). Nowy kontroler firmy Intel okazuje się pobierać więcej energii niż stary, dla modułów pamięci RAM typu DDR2.

To bardzo dziwna sytuacja, bo zmiana modułów DDR2 na DDR3 ma netbookom dać nie tyle, że większą wydajność, ale przede wszystkim dłuższy czas pracy na zasilaniu z akumulatora. Z drugiej strony nowy kontroler pobierze więcej energii niż stary. Ostatecznie pobór energii porównywalnych netbooków z modułami DDR2 i DDR3 będzie bardzo podobny.

Jedynym pocieszeniem może być to, że w przyszłym roku moduły typu SO-DIMM DDR3 powinny być trochę tańsze niż SO-DIMM DDR2.