News
Samsung pokazał pierwsze na świecie moduły pamięci DDR4.
Do masowej produkcji pamięci wejdą na początku 2012 roku. Zastepując moduły DDR3 nowe pamięci mają być do 40% bardziej energooszczędne, to dzięki obniżeniu napięcia zasilającego do 1,2V. DDR4 będzie oferowal przepustowaść na poziomie od 1.6 do 3.2 Gbps (DDR3 oferuje 1.6Gbps a DDR2 800Mbps), moduł zaprezentowany przez samsunga oferuje 2.133 Gbps. Nowe pamięci mają pracować z prędkością od 2133 MHz do 4266 MHz i będą wykonane w rozmiarze 30 nm (jest to coś pomiędzy 30-39 nm).
Nowe kości będą wypsarzone w technologię Pseudo Open Drain (POD) znaną z wydajnych pamięci kart graficznych.
Źródło: Akihabaranews.com
Ocena newsa
Ocen: 4
Wyszukiwarka
Newsy
Forum
Komentarze
Ponieważ GDDR2 to ...., a DDR2, cóż, @up'y mówią sam za siebie.
Jednak i tak osobiście wolałbym aby od razu weszły DDR5.
GDDR3 oraz GDDR4 są obie oparte na DDR2.
GDDR5 jest oparte na DDR3.
Po szczegóły zapraszam na Wiki.
Nie ma żadnych przesłanek za tym, aby DDR4 było porażką.
GDDR4 było niewiele szybsze od GDDR3. Nie opłacało się konstruować kontrolerów dla GDDR4 w kartach graficznych, a mały wolumen produkowanych GDDR4 powodował, że same kostki były relatywnie drogie.
DDR4 jest natomiast dużo szybsze od DDR3.
DDR4 na razie nie jest szybsze bo najsłabsze modele pracują z częstotliwością 2133 MHz a niektóre DDR3 mają już 2600 MHz.
Po za tym teraz kwestia taktowania pamięci jest względna, podobnie jak z seriami procków intela biorąc np. pod uwagę serie Core 2 Duo E8XXX, E8200 i E8400 to były te same procki tylko z predyspozycjami do wyższego taktowania (lepszy kawałek wafla krzemowego i wyższy wynik kontroli jakości. Tak samo jest w tej chwili w pamięciami, można kupić 1333 MHz i wykręcić do 2000 MHz a można kupić 2000 MHz za 3-4x więcej pieniędzy i wykręcić je tylko do 2133 MHz.