Procesory
Artykuł
Mateusz Brzostek, Wtorek, 25 lipca 2017, 20:00

Mnożniki, timingi i napięcia

Timingi pamięci są podawane w cyklach zegara, a więc są wartością względną – ich bezwzględna długość zależy od wybranego taktowania pamięci. W pamięci o taktowaniu DDR-2133 i opóźnieniu CL = 15 czas CL to 14 ns. Odczyt jednego bajta danych w pamięci DDR-2400 CL 17 i DDR-2666 CL 19 trwa mniej więcej tyle samo czasu. Przyspieszanie taktowania wraz ze zwiększaniem timingów zwiększa przepustowość podsystemu pamięci, a opóźnienie w dostępie do pamięci pozostaje bez zmian.

W praktyce opóźnienie w dostępie nieznacznie się zwiększa wraz ze wzrostem częstotliwości taktowania, bo automatyczne reguły konfiguracji kontrolera pamięci wydłużają niektóre niewidoczne dla użytkownika timingi. Mimo to przyspieszenie taktowania i proporcjonalne zwiększenie podstawowych timingów zwykle są korzystne w większości zastosowań.

Na większości płyt po zaktualizowaniu UEFI do najnowszej wersji znajdziemy takie oto ustawienia:

1. Pierwszorzędne timingi pamięci

Zwykle ustawiamy tylko tych pięć timingów (tRCDRD i tRCDWR często są połączone jako tRCD). Im są mniejsze, tym wydajniejszy jest podsystem pamięci.

2. Drugorzędne timingi pamięci

Zaznaczone timingi mają największe znaczenie dla wydajności. CWL powinno być nie większe niż CL. RFC zwykle warto ustawić pomiędzy 250 a 500, a RDRDSCL i WRWRSCL (niewidoczne na tym zrzucie ekranu) – na jak najniższe wartości (2–4). 

3. Parametry kontrolera pamięci

Te ustawienia pomagają w osiągnięciu szybkiego taktowania w przypadku bardziej wymagających konfiguracji.

Gear Down Mode – włączenie (Enabled) nieco pogarsza wydajność, ale pozwala poprawić stabilność, kiedy opcja Command Rate jest ustawiona na 1.

BankGroupSwap – wyłączenie (Disabled) poprawia wydajność, ale pogarsza stabilność. Użyteczne tylko w konfiguracjach z jednym jednostronnym modułem na kanał.

ProcODT – impedancja interfejsu I/O w kontrolerze pamięci w procesorze. Regulacja może być konieczna do uzyskania szybkiego taktowania w konfiguracjach z dwoma modułami pamięci na kanał. Optymalna wartość zależy od konkretnego procesora; zwykle zawiera się pomiędzy 43,6 Ω a 60 Ω.

Niezależnie od jakości procesora i zestawu pamięci do osiągnięcia szybkiego taktowania będzie konieczna regulacja jednego lub więcej napięć. 

Pierwszym krokiem jest podniesienie napięcia zasilania tej części procesora, która zawiera łącza Infinity Fabric oraz kontrolery IO. Odpowiednie opcje nazywają się tak: na płytach firmy ASRock – VDDCR_SOC, Gigabyte – Vcore SOC, Asus – VDDCR CPU Voltage, MSI – CPU NB/SoC Voltage. Domyślne napięcie to około 0,90 V. W zależności od jakości procesora i docelowego taktowania trzeba będzie je podnieść do 1,05–1,30 V. Wyższe napięcie nie zawsze skutkuje większą stabilnością! Należy uważać na mechanizmy UEFI automatycznie podnoszące napięcie. Większość płyt po wybraniu profilu XMP albo ustawieniu mnożnika pamięci wyższego niż DDR-2666 automatycznie podnosi to napięcie. Na przykład płyta Asus B350-Plus (patrz zrzut ekranu powyżej) ustawia automatycznie 1,20 V, a do tego dodaje wartość wybraną przez użytkownika w polu offset.

Oczywiście, podkręcanie RAM-u często wymaga zwiększenia napięcia zasilania pamięci. Domyślne napięcie zasilania DDR4 to 1,20 V; niektóre zestawy wymagają 1,35 V do osiągnięcia nominalnej prędkości, a niemal zawsze można je podnieść do 1,40 V z korzyścią dla możliwości podkręcania. 

Na większości płyt głównych dostępna jest też regulacja napięcia odniesienia dla sygnałowania RAM-u (DDR VREF Voltage, VTT_DDR i podobne). Zwykle zostaje ono automatycznie podniesione wraz ze zwiększeniem napięcia zasilania RAM-u, ale jeśli nie ma się pewności albo możliwości monitorowania go, można je ręcznie ustawić na połowę napięcia zasilania RAM-u.

Ocena artykułu:
Ocen: 88
Zaloguj się, by móc oceniać
Artykuły spokrewnione
Aktualności spokrewnione
Facebook
Ostatnio komentowane