Penryn - następca Conroe

Penryn działa - wszyscy się cieszą

Pierwsze wafle z 45-nanometrowymi procesorami Penryn wyszłu już jakiś czas temu z FAB D1D w Hillsboro. Wyszły i... wzbudziły entuazjazm – już „first silicon” zabootował poprawnie Windows Vista, Windows XP i Linuksa.

Tak świętowali to testerzy i członkowie zespołu Penryna. Mieli prawo do radości – chyba dostatecznie jasno pokazaliśmy wcześniej skalę trudności, jaką przyniosła ze sobą nowa technologia.

Pilotowy FAB D1D w Oregonie wytwarza Penryny już dziś – są to „engineering samples”, które trafiają do producentów płyt głównych i innych partnerów Intela. Produkcja masowa rozpocznie się w II półroczu, w D1D i w FAB32 w Arizonie tak, aby w chwili premiery, której spodziewamy się w końcu sierpnia, możliwe było dostarczanie procesorów w handlowych ilościach.

Wróćmy do overclockingu

Jak już wcześniej wspomnieliśmy, perspektywy potencjału overclockerskiego 45-nanometrowych układów Penryn wyglądają obiecująco, ale... warto mieć na uwadze kilka zjawisk, z jakimi overclockerzy zetknęli się w przeszłości. Przypomnijmy je.

Pierwsze to tak zwany efekt „wypiekania”, który polegał na tym, że procesor silnie przegrzany przez pewien czas stawał się podatniejszy na przetaktowanie. Efekt ten wyjaśniano dyfuzją materiału elektrod tranzystorów, skracającą obszar kanału i równocześnie wyrównującą „niedoróbki” produkcyjne. Drugie zjawisko, jakie należy sobie przypomnieć, to SNDS – sudden Northwood death syndrome, czyli syndrom nagłej śmierci Northwooda. Polegało ono na tym, że przetaktowany procesor, pracujący bez zarzutu przez kilka miesięcy, chłodzony do dozwolonego zakresu temperatur, nagle odmawiał współpracy i nie pomagał na to powrót do nominalnej częstotliwości. W tym przypadku przyczyną było zjawisko elektromigracji materiału ścieżek przewodzących, wywoływane nadmierną gęstością przepływającego przez nie prądu.

Dlaczego przypominamy te zjawiska w kontekscie 45-nanometrowego Penryna? Dlatego, że w jego procesie produkcyjnym wzajemna dyfuzja materiałów stanowi zjawisko szkodliwe i podstawową trudność technologiczną. Efekty długotrwałego przegrzania mogą więc tym razem być wysoce negatywne. Podobnie z SNDS – zauważmy, że mamy do czynienia z nowym zestawem materiałów. Więc chociaż perspektywy wyglądają obiecująco, z zacieraniem rąk na razie należy się wstrzymać...

Istotne uwagi

Autor opracowania, na które się powołujemy, wywodzi się z działu półprzewodników Motoroli (obecnie Freescale Semiconductor) i, o ile mi wiadomo, nie ma żadnych związków z Intel Corporation. No, może poza jednym drobiazgiem – jedno z nazwisk na liście recenzentów jego pracy kojarzy mi się z jakimiś pracami publikowanymi pod auspicjami Intela. Na szczegółowe dociekania nie mam siły – wystarczy, że przeczytałem od deski do deski blisko 150-stronicową dysertację!

Przeczytałem i w istotnych szczegółach zrozumiałem. Ale uwaga – wtedy, kiedy zaliczałem fizykę ciała stałego, królował jeszcze model Rutherforda-Bohra, zaś model pasmowy nieśmiało zaczynał sobie torować drogę (przynajmniej w nauczaniu fizyki w Polsce). I całą wiedzę z późniejszych czasów przyswoiłem po angielsku, nigdy nie zastanawiając się nad polskimi odpowiednikami różnych pojęć. Dlatego wszystkich, którzy zauważą jakieś nieścisłości czy potknięcia terminologiczne, bardzo proszę o zwrócenie mi uwagi.